


Том 70, № 1 (2025)
ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН
Диаграммообразующая схема на связанных линиях передачи с неодинаковыми связями
Аннотация
Предложена диаграммообразующая схема в виде периодической структуры из параллельных связанных линий передачи с неодинаковыми коэффициентами связи, предназначенная для формирования секторной диаграммы направленности линейной антенной решетки. В рамках теории связанных волн решена задача о собственных волнах системы бесконечных связанных линий передачи, а также решена задача о возбуждении системы из линий передачи конечной длины внешним источником. Получены соотношения, описывающие амплитуды волн в линиях передачи в выходной плоскости. Рассмотрен множитель направленности излучающей решетки, возбуждаемой волнами в выходной плоскости. Показано, что применение диаграммообразующей схемы нового типа позволяет улучшить форму множителя направленности решетки по сравнению с множителем направленности решетки, возбуждаемой схемой на линиях передачи с одинаковыми связями.



АНТЕННО-ФИДЕРНЫЕ СИСТЕМЫ
Сверхдиапазонная поликоническая антенна с градиентной диэлектрической линзой
Аннотация
Предложена и исследована c использованием численного моделирования всенаправленная в одной плоскости поликоническая антенна с торроидальной градиентной диэлектрической анизотропной линзой Микаэляна, которая выполнена в виде набора параллельных соосных дисков из полистирола различной толщины. В результате исследования и оптимизации параметров показано, что оптимизированная поликоническая антенна с линзой согласована и обеспечивает высокую эффективность в полосе частот 40:1. Результаты численного моделирования подтверждены результатами измерений изготовленного макета антенны.



ТЕОРИЯ РАДИОТЕХНИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ
Дифференциальные уравнения для триггера и одновибратора с внешним воздействием
Аннотация
Получены численные решения дифференциальных уравнений для триггера на биполярных транзисторах при наличии внешнего воздействия. Показано, что решения обладают гистерезисными свойствами. Выведены дифференциальные уравнения для одновибратора на биполярных транзисторах и найдены их численные решения.



ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ
Влияние дополнительного диэлектрического слоя и заземленного экрана на высокочастотные характеристики элементов GаAs микросхем в 3D-интегрированных модулях
Аннотация
С использованием электромагнитного моделирования в диапазоне частот до 40 ГГц исследовано влияние покрытия GaAs монолитных интегральных схем (МИС) диэлектрическим слоем бензоциклобутена и металлизированным слоем из меди на СВЧ-характеристики микрополосковой (МПЛ) и копланарной (КПЛ) линий передачи, а также симметрирующего трансформатора и полосового фильтра на базе МПЛ. Показано, что в GaAs МИС с указанным покрытием, используемых в 3D-интегрированных модулях, с точки зрения вариации характеристик предпочтительнее применять КПЛ.



ЭЛЕКТРОННАЯ И ИОННАЯ ОПТИКА



ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
Метамагнитный фазовый переход в соединении Mn5Si3
Аннотация
Проведены исследования электросопротивления соединения Mn5Si3 в магнитных полях до 2 Тл при криогенных температурах в диапазоне от 35 до 90 K. По результатам измерений теплоемкости при постоянном давлении CP, намагниченности M и удельного электросопротивления ρ определены характерные температуры магнитных фазовых переходов TN1 и TN2. Показано, что поведение кривых ρ(T) отличается в зависимости от условий и протокола проведения измерений. По результатам измерений магнитокалорических свойств в сильных магнитных полях до 10 Тл при криогенных температурах в диапазоне от 25 до 125 К наблюдается как обратный, так и прямой магнитокалорический эффект. Максимальное значение обратного магнитокалорического эффекта составило ∆Tад = –1.1 K при начальной температуре T0 = 50 K в магнитном поле 10 Тл. Прямой магнитокалорический эффект с максимальным значением ∆Tад = +0.9 K наблюдается при T0 = 62.5 K в поле 10 Тл. Определен локальный показатель полевого распределения энтропии n, значение которого n > 2 подтверждает тип и существование фазового перехода 1-го рода.



Изменения собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры AlxGa1–xAs-GaAs-AlxGa1–xAs из-за возвращения в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения
Аннотация
Обнаружено гашение генерации собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры AlxGa1–xAs-GaAs-AlxGa1–xAs, выходящего из ее торца. Гашение происходит при возвращении в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения. Этот новый эффект позволяет уменьшать длительность излучения вплоть до 7.5 раз.



О причинах низкого критического тока в двойниковых пленочных высокотемпературных сверхпроводниках
Аннотация
С помощью осцилляционной дифференциальной методики локального приближения исследовано влияние внутренних локальных и внешних полей размагничивания на величину плотности критического тока междвойниковых джозефсоновских слабых связей Jc высокотемпературных сверхпроводниковых образцов YBCO. В режимах охлаждения в нулевом поле и охлаждения в нулевом поле с накоплением потока для образцов с разными Jc и размерами двойников d измерены поля размагничивания образцов Hр1 и Hр2. Определены значения: d; термодинамических первых критических магнитных полей двойников Hтк1; полей размагничивания двойников Hрд; плотности внутридвойниковых эффективных критических токов Jc эф; критических токов пиннинга Jc п и экранирующих мейснеровских критических токов Jc М. Показано, что при полях Hтк1 двойники больших размеров скачкообразно «распадаются» на группу двойников меньших размеров с близкими размагничивающими факторами. Обнаружено, что увеличение Jc М, Jc эф и уменьшение d приводят с одной стороны к снижению Jc из-за увеличения поля размагничивания образца Hр и Hр д, созданного Jc эф и Jc М, с другой стороны – к усилению Jc эф и Jc М за счет уменьшения d.



Влияние лазерного излучения на работу полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Аннотация
Проведены экспериментальные и теоретические исследования влияния немодулированного лазерного излучения на функционирование полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в составе усилительного каскада с общим истоком. Определены закономерности в изменениях параметров транзистора в зависимости от внешнего излучения. Установлено, что при лазерном облучении наибольшие изменения претерпевают напряжение отсечки и удельная крутизна затвора. Обнаружено, что при облучении транзисторной структуры возникает фотовольтаический эффект на p-n-переходе затвора, изменяется концентрация свободных носителей заряда в полупроводниковых областях и сопротивление канала. Показано, что прибор достаточно устойчив к воздействию лазерного излучения, что принципиально важно для создания радиационно-стойких интегральных схем.



НОВЫЕ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ И ЭЛЕМЕНТЫ
Оценка пропускной способности систем связи на основе множественного доступа с разделением по скорости
Аннотация
Описан метод множественного доступа с разделением по скорости RSMA (Rate Split Multiple Access) для многоантенных систем связи. Приводится последовательность операций по формированию и обработке сигналов RSMA. Рассмотрены сценарии использования RSMA в системах связи и обосновывается эффективность применения этого метода. Получены оценки пропускной способности метода RSMA в сравнении с другими методами множественного доступа. Проведено численное моделирование оценки средней пропускной способности одного абонента с помощью инструмента QuaDRiGa. Показано, что RSMA позволяет добиться большей пропускной способности по сравнению с другими методами множественного доступа, применяемыми в многоантенных системах связи.



Реализация возможности проектирования аналоговых элементов с применением логических микросхем
Аннотация
Представлено описание и применение методики синтеза радиотехнических элементов на конкретной задаче с использованием необходимой цифровой элементной базы для реализации аналоговых устройств. С помощью данной методики синтезированы аналоговые устройства и проведены экспериментальные исследования, получены выходные характеристики.


