Сравнительный анализ магнитных и электронных свойств 2d фаз теллуридов хрома
- Авторы: Карцев А.И.1,2, Сафронов А.А.3
-
Учреждения:
- Вычислительный центр ДВО РАН
- Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
- МИРЭА - Российский технологический университет
- Выпуск: Том 69, № 10 (2024)
- Страницы: 989-995
- Раздел: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- URL: https://journals.rcsi.science/0033-8494/article/view/282457
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424100085
- EDN: https://elibrary.ru/HPXJGV
- ID: 282457
Цитировать
Аннотация
Проведено первопринципное моделирование двух различных квазидвумерных фаз на основе объемных фаз Cr2Te3 и CrTe3. В рамках метода функционала плотности и метода проекционных плоских волн произведена структурная релаксация полученных 2D-соединений и их объемных прототипов. Исследована магнитная анизотропия в различных кристаллографических плоскостях квазидвумерных структур и соответствующих объемных материалов. Обнаружено увеличение магнитной анизотропии при переходе от объемных фаз к квазидвумерным фазам Cr2Te3/CrTe3. Построена карта зарядовой плотности и найдена плотность электронных состояний для 2D-материалов Cr2Te3 и CrTe3.
Об авторах
А. И. Карцев
Вычислительный центр ДВО РАН; Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
Автор, ответственный за переписку.
Email: karec1@gmail.com
Россия, ул. Ким Ю Чена, 65, Хабаровск, 680000; ул. 2-я Бауманская, 5, стр.1, Москва, 105005
А. А. Сафронов
МИРЭА - Российский технологический университет
Email: karec1@gmail.com
Россия, просп. Вернадского, 78, Москва, 119454
Список литературы
- Zhang P., Xue S., Wang J. // Materials & Design. 2020. V. 192. P. 108726. https://doi.org/10.1016/j.matdes.2020.108726
- Zhang Z., Wang Z., Shi T. et al. // InfoMat. 2020. V. 2. №. 2. P. 261. https://doi.org/10.1002/inf2.12077
- Frazier A.B., Warrington R.O., Friedrich C. et al. // IEEE Trans. 1995. V. ID-42. № 5. P. 423. https://doi.org/10.1109/41.464603
- Charles Jr H. K. // Johns Hopkins APL Technical Digest. 2005. V. 26. №. 4. P. 402.
- Rohrer H.R. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. № 3. P. 1335.
- Keyes R.W. // IBM J. Research and Development. 1988. V. 32. № 1. P. 84.
- Гуляев Ю.В., Сандомирский В.Б., Суханов А.А., Ткач Ю.Я. // Успехи физ. наук. 1984. Т. 144. № 3. С. 475.
- Gong C., Zhang X. // Science. 2019. V. 363. № 6428. P. 4450. https://www.science.org/doi/10.1126/science.aav4450
- Kartsev A., Malkovsky S., Chibisov A. // Nanomaterials. 2021. V. 11. № 11. P. 2967. https://doi.org/10.3390/nano11112967Б
- Билык В.Р., Брехов К.А., Агранат М.Б., Мишина Е.Д. // Russ. Technol. J. 2023. Т. 11. № 3. С. 38. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2023-11-3-38-4
- Negedu S. D., Kartsev A.I., Palit M. et al. // J. Phys. Chem. C. 2022. V. 126. № 30. P. 12545. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.2c02102
- Xiong Z., Hu C., Luo X. // Nano Lett. 2021. V. 21. № 24. P. 10486.
- Li R., Nie J.-H., Xianet J.-J. et al. // ACS Nano. 2022. V. 16. № 3. P. 4348.
- Yao J., Wang H., Yuan B. et al. // Adv. Mater. 2022. V. 34. № 23. P. 2200236.
- Medvedev M.G., Bushmarinov I.S., Sun J. et al. // Science. 2017. V. 355. № 6320. P. 49. https://www.science.org/doi/10.1126/science.aah5975
- Hafner J. // J. Computational Chem. 2008. V. 29. № 13. P. 2044. https://doi.org/10.1002/jcc.21057
- Perdew J.P., Ernzerhof M., Burke K. // J. Chem. Phys. 1996. V. 105. № 22. P. 9982.
- Kartsev A. A., Augustin M., Evans R.F.L. et al. // npj Computational Mater. 2020. V. 6. № 1. P. 150. https://www.nature.com/articles/s41524-020-00416-1
- Momma K, Izumi F. // J. Appl. Crystallography. 2008. V. 41. № 3. P. 653. https://doi.org/10.1107/S0021889808012016
- Synnatschke K., Badlyan N., Wrzesińska A. et al. // Ultrasonics Sonochemistry. 2023. V. 98. P. 106528.
- Pramanik T., Anupam R., Rik D. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 437. P. 72.
- Bian M., Kamenskii N., Han M. et al. // Mater. Research Lett. 2021. V. 9. № 5. P. 205.
- Debbichi M., Debbichi L., Lebègue S. // Phys. Lett. A. 2020. V. 384. № 27. P. 126684.
Дополнительные файлы
