Отправить статью по E-mail 
Моделирование изолирующего потенциала в сверхтонкой (42 Å) пленке окисла кремния
- Авторы: Гольдман Е.И.1, Чучева Г.В.1, Шушарин И.А.1
-
Учреждения:
- Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
- Выпуск: Том 69, № 3 (2024)
- Страницы: 253-259
- Раздел: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- URL: https://journals.rcsi.science/0033-8494/article/view/266086
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424030061
- EDN: https://elibrary.ru/JVBQXB
- ID: 266086
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Аннотация
На основе ранее выполненных измерений туннельных вольт-амперных характеристик структур металл-SiО2-Si (МОП) проведено моделирование изолирующего рельефа в сверхтонкой (4.2 нм) пленке окисла кремния. Потенциал в диэлектрике задавался в форме трапеции, боковые склоны которой имитировали переходные слои, а верхнее основание — объем SiО2. Вычислены параметры модели — высота барьера и координаты угловых точек трапеции, исходя из требования максимальной близости экспериментальной и теоретической производных по напряжению от логарифма тока. Обнаружены общие, с более тонкими пленками (3.7 нм) окисла кремния, черты изолирующего потенциала: барьер занимает до половины номинального объема диэлектрического промежутка и сдвинут к полевому электроду, а его склон в сторону полупроводниковой подложки гораздо более пологий по сравнению с примыкающим к затвору.
Полный текст
Об авторах
Е. И. Гольдман
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, пл. Введенского, 1, Фрязино, Московской обл., 141190
Г. В. Чучева
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, пл. Введенского, 1, Фрязино, Московской обл., 141190
И. А. Шушарин
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, пл. Введенского, 1, Фрязино, Московской обл., 141190
Список литературы
- Zwanenburg F.A., Dzurak A.S., Morello A. et al. // Rev. Mod. Phys. 2013. V. 85. № 3. P. 961.https://doi.org/10.1103/RevModPhys.85.961.
- Красников Г.Я., Горнев Е.С., Матюшкин И.В. // Электрон. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2018. С. 63.
- Черняев М.В., Горохов С.А., Патюков С.И., Резванов А.А. // Электрон. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2022. С. 31.
- Muller D.A., Sorsch T., Moccio S. et al. // Nature. 1999. V. 399. № 6738. P. 758.https://doi.org/10.1038/21602.
- Vasudevan R., Pilania G., Balachandran P.V. // J. Appl. Phys. 2021. V. 129. P. 070401.https://doi.org/10.1063/5.0043300.
- Тахтамиров Э.Е., Волков В.А. // ЖЭТФ. 1999. Т. 116. № 5. С. 1843.
- Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. М.: Мир, 1985.
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988.
- Гольдман Е.И., Левашов С.А., Чучева Г.В. // ФТП. 2019. Т. 53. № 4. С. 481.https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47444.9011.
- Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. // ФТП. 2021. Т. 55. № 1. С. 24.https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50379.9511.
- Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Черняев М.В. // ФТП. 2008. Т. 42. № 1. С. 94.
- Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Шушарин И.А. // ФТП. 2022. Т. 56. № 3. С. 328.https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52119.9756.
- Тихонов А.Н., Арсенин В.А. Методы решения некорректных задач. М: Наука, 1986.
- Гольдман Е.И., Иванов В.А. Адаптивный тихоновский алгоритм построения производных экспериментальных зависимостей. Препринт ИРЭ АН СССР № 22(551). М.: ИРЭ АН СССР, 1990. 24с.
Дополнительные файлы
