ПЛАНАРНЫЙ МАГНЕТРОН С РОТАЦИОННЫМ ЦЕНТРАЛЬНЫМ АНОДОМ, РАСПЫЛЯЕМЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ

Разработан планарный магнетрон с ротационным центральным анодом. Центральный плоский анод, выполняющий функции мишени, распыляемой ионным пучком, установлен с возможностью вращения и под углом 45°–50° относительно направления падения распыляющего ионного пучка, причем ось вращения анода совпадает с осью симметрии ионного пучка. Расчет коэффициента распыления медного центрального анода магнетрона показывает, что при наклонном падении распыляющих ионов и прочих равных условиях обеспечивается рост коэффициента распыления медного анода магнетрона с 6 до 9 атомов на один падающий ион, при этом достигается максимальная кучность распыленных атомов меди на ростовой поверхности подложек. Планарный магнетрон предлагаемой конструкции имеет более широкие функциональные возможности, в частности, при синтезе наноструктурированных композитных покрытий TiN–Cu. Однородная глобулярная структура ростовой поверхности покрытия TiN–Cu с размерами глобул в пределах 50–100 нм указывает на нормальный (негранный) механизм роста. Микротвердость покрытий составляет примерно 42 ГПа.