Применение лазер-плазменного ускорителя протонов для исследования одиночных радиационных эффектов в микроэлектронном устройстве
- Authors: Сафронов К.В.1, Флегентов В.А.1, Горохов С.А.1, Шамаева Н.Н.1, Тищенко А.С.1, Замураев Д.О.1, Шамраев А.Л.1, Ковалёва С.Ф.1, Фёдоров Н.А.1, Дубровских С.М.1, Пилипенко А.С.1, Кустов А.С.1, Шибаков Е.А.1, Потапов А.В.1
-
Affiliations:
- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
- Issue: No 5 (2024)
- Pages: 106-112
- Section: ОБЩАЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ТЕХНИКА
- URL: https://journals.rcsi.science/0032-8162/article/view/285720
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0032816224050129
- EDN: https://elibrary.ru/ESSIOA
- ID: 285720
Cite item
Abstract
На фемтосекундной лазерной установке мощностью 200 ТВт проведены эксперименты по облучению пучками ускоренных лазером протонов микроконтроллера, изготовленного по топологической норме 180 нм. Частицы с энергиями до 6 МэВ генерировались на тыльной поверхности алюминиевых фольг толщиной 6 мкм. После облучения в памяти микроконтроллера зарегистрированы сбои. Установлено, что сбои носят характер одиночных радиационных эффектов, восстановлено сечение данных эффектов. Проведенные эксперименты демонстрируют возможность применения лазерных ускорителей для исследования одиночных радиационных эффектов в микроэлектронных устройствах под действием низкоэнергетичных протонов.
Full Text

About the authors
К. В. Сафронов
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Author for correspondence.
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
В. А. Флегентов
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
С. А. Горохов
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
Н. Н. Шамаева
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
А. С. Тищенко
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
Д. О. Замураев
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
А. Л. Шамраев
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
С. Ф. Ковалёва
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
Н. А. Фёдоров
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
С. М. Дубровских
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
А. С. Пилипенко
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
А. С. Кустов
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
Е. А. Шибаков
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
А. В. Потапов
Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина Российского федерального ядерного центра
Email: dep5@vniitf.ru
Russian Federation, 456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13
References
- Kobayashi D. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2021. V. 68. № 2. P. 124. http://doi.org/10.1109/TNS.2020.3044659
- Rodbell K.P., Heidel D.F., Tang H.H.K. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2007. V. 54. P. 2474. http://doi.org/10.1109/TNS.2007.909845
- Heidel D.F., Marshall P.W., LaBel K.A. et al. // IEEE Trans. Nucl. 2008. Sci. V. 55. P. 3394. http://doi.org/10.1109/TNS.2008.2005499
- Sierawski B.D., Pellish J.A., Reed R.A. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2009. V. 56. P. 3085. http://doi.org/10.1109/TNS.2009.2032545
- Lawrence R.K., Ross J.F., Haddad N.F., Reed R.A. Albrecht D.R. // IEEE Radiation Effects Data Workshop, Quebec. 2009. P.123. http://doi.org/10.1109/REDW.2009.5336302
- Cannon E.H., Cabanas-Holmen M., Wert J. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2010. V. 57. P. 3493. http://doi.org/10.1109/TNS.2010.2086482
- Pellish J.A., Marshall P.W., Rodbell K.P. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2014. V. 61. P. 2896. http://doi.org/10.1109/TNS.2014.2369171
- Ye B., Liu J., Wang T.S. et al. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2017. V. 406. P. 443. http://doi.org/10.1016/j.nimb.2017.03.162
- Akhmetov А.О., Sorokoumov G.S., Smolin A.A., Bobrovsky D.V., Boychenko D.V., Nikiforov A.Y. Shemyakov A.E. // Proc. 31th Int. Conf. on Microelectronics (MIEL). Nis, Serbia. 2019. P. 107. http://doi.org/10.1109/MIEL.2019.8889634
- Dodds N.A., Schwank J.R., Shaneyfelt M.R. et al. // IEEE Trans. Nucl.Sci. 2014. V. 61 P. 2904. http://doi.org/10.1109/TNS.2014.2364953
- Радиационная стойкость изделий ЭКБ. / Под ред. А.И. Чумакова, М.: НИЯУ МИФИ, 2015.
- Kim I J., Pae K.H., Choi I.W. et al. // Phys. Plasmas. 2016. V. 23. P. 070701. http://doi.org/10.1063/1.4958654
- Wagner F., Deppert O., Brabetz C. et al. // Phys. Rev. Lett. 2016. V. 116. P. 205002. http://doi.org/10.1103/PhysRevLett.116.205002
- Higginson A., Gray R.J., King M. et al. // Nature Comm. 2018. V. 9. V. 724. http://doi.org/10.1038/s41467-018-03063-9
- Zeil K, Kraft S.D., Bock S et al. // New J. Phys. 2010. V. 12. P. 045015. http://doi.org/10.1088/1367-2630/12/4/045015
- Neely D., Foster P., Robinson A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 021502. http://doi.org/10.1063/1.2220011
- Pirozhkov A.S., Mori M., Yogo A. et al. // Proc. SPIE 7354. 2009. P. 735414. http://doi.org/10.1117/12.820635
- Nishiuchi M., Daito I., Ikegami M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 061107. http://doi.org/10.1063/1.3078291
- Wilks S.C., Langdon A.B., Cowan T.E. et al. // Phys. Plasmas. 2001. V. 8. P. 542. http://doi.org/10.1063/1.1333697
- Ziegler J.F., Biersak J.P., Littmark U. The stopping and Range of Ions in Solids. Vol. 1. New York: Pergamon, 1985. P. 53.
- Ackermann M.R., Mikawa R.E., Massengill L.W., Diehl S.E. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. V. 33. № 6. P. 1524. http://doi.org/10.1109/TNS.1986.4334635
- King M.P., Reed R.A., Welleret R.A. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2013. V. 60. №6. P. 4122. http://doi.org/10.1109/TNS.2013.2286523
- Sierawski B.D., Mendenhall M.H., Reed R.A.et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. V. 57. P. 3273. 2010. http://doi.org/10.1109/TNS.2010.2080689
Supplementary files
