Метод оптимизации распределения емкостей конденсаторов в составе умножителя напряжения по критерию массомощностных характеристик
- Authors: Жарков Я.Е.1, Кириллов А.С.1, Мошкунов С.И.1, Прокофьев А.Б.2, Хомич В.Ю.1
-
Affiliations:
- Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук
- Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева
- Issue: No 5 (2024)
- Pages: 76-84
- Section: ЭЛЕКТРОНИКА И РАДИОТЕХНИКА
- URL: https://journals.rcsi.science/0032-8162/article/view/285715
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0032816224050086
- EDN: https://elibrary.ru/ETVIED
- ID: 285715
Cite item
Abstract
Проведена численная оптимизация величин емкостей в составе умножителя напряжения путем параметрической оптимизации с применением программ LTSpice и Matlab. Определены оптимальное число каскадов устройства, характер распределения емкостей и значения емкостей конденсаторов в его составе для достижения требуемого выходного напряжения. Проведено сравнение оптимизационных распределений емкостей, полученных при использовании идеальных диодов и диодов на основе карбида кремния марки GB02SLT12-214. Показано, что распределение емкостей, полученное в результате решения задачи оптимизации, позволяет снизить массу устройства и потери энергии в диодах.
Full Text

About the authors
Я. Е. Жарков
Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук
Author for correspondence.
Email: yarik77794@mail.ru
Russian Federation, 191186, Санкт-Петербург, Дворцовая наб., 18
А. С. Кириллов
Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук
Email: yarik77794@mail.ru
Russian Federation, 191186, Санкт-Петербург, Дворцовая наб., 18
С. И. Мошкунов
Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук
Email: yarik77794@mail.ru
Russian Federation, 191186, Санкт-Петербург, Дворцовая наб., 18
А. Б. Прокофьев
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева
Email: yarik77794@mail.ru
Russian Federation, 443086, Самара, Московское шоссе, 34
В. Ю. Хомич
Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук
Email: yarik77794@mail.ru
Russian Federation, 191186, Санкт-Петербург, Дворцовая наб., 18
References
- Iqbal S., Besar R. // American Journal of Applied Sciences. 2007. V. 4. № 10. P. 795.
- Stoican O.S. // Polymers. 2021. Vol. 13. №. 13. P. 2132.
- Kwon J.M., Kwon B.H. // IEEE Trans. Power Electron. 2009. V. 24. № 1. P. 108.
- Аверьянов А.В., Воропай Л.М., Гительман Е.Б., Плеханов А.А. // Экология и промышленность России. 2014. № 3. С. 8. EDN RXCLAL
- Пелевин А.Е. Магнитные и электрические методы обогащения. Магнитные методы обогащения: Учебник. Екатеринбург: Уральский государственный горный университет, 2018. ISBN 978-5-8019-0435-1. EDN PHCEVA
- Ананьев В.В., Перетокин Т.Н., Заиков Г.Е., Софьина С.Ю. // Вестник Казанского технологического университета. 2014. № 3. С. 116.
- Ефремова А.А., Гарипова Л.Р., Григорьева А.Ю., Кузнецова О.П. // Вестник Казанского технологического университета. 2015. № 11. С. 148.
- Xu H., He Y., Strobel K.L. et al.// Nature. 2018. V. 563. P. 532.
- Мошкунов С.И., Небогаткин С.В., Ребров И.Е., Хомич В.Ю., Ямщиков В.А. // Прикладная физика. 2011. № 6. С. 32. ISSN 1996-0948
- Алешин Б.С., Курячий А.П., Ребров И.Е., Хомич В.Ю., Чернышев С.Л., Ямщиков В.А. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. № 1. С. 45.
- Defoot E., Benard N., Moreau E. // Journal of Electrostatics. 2017. № 88. P. 35.
- Васюков И.В., Пузин В.С., Батюков А.В., Живодерников А.В. // Известия высших учебных заведений. Электромеханика. 2018. Т. 61. № 5. С. 32. https://doi.org/10.17213/0136-3360-2018-5-32-37. EDN YLFAZF.
- Муравьев В.В., Кореневский С.А. // Доклады БГУИР. 2005. № 4 (12). С. 37.
- Мошкунов С.И., Хомич В.Ю. Генераторы высоковольтных импульсов на основе составных твердотельных коммутаторов. Москва: Физматлит, 2018. ISBN 978-5-9221-1820-0. EDN YMIQZN.
- Powell M.J.D. A Fast Algorithm for Nonlinearly Constrained Optimization Calculations. Numerical Analysis. Lecture Notes in Mathematics. V. 630 / Ed. by G.A. Watson, Springer-Verlag, 1978.
- Техническая спецификация диода Шоттки на основе карбида кремния. https://genesicsemi.com/sic-schottky-mps/GB02SLT12- 214/ GB02SLT12-214.pdf
Supplementary files
