Установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

Представлена экспериментальная установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи. Данная установка позволяет измерять импульсные вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов и защитных элементов, а также проводить исследование стойкости микроэлектронных устройств к электростатическому разряду, в том числе и без их разрушения. Установка обеспечивает создание испытательных импульсов напряжения прямоугольной формы длительностью 100 нс, согласно стандарту IEC62615, и обеспечивает амплитуду импульса тока разряда до 10 А.

Full Text

Restricted Access

About the authors

В. В. Кузнецов

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Author for correspondence.
Email: vadim.kuznetsov@bmstu.ru
Russian Federation, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1

B. B. Андреев

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Email: vladimir_andreev@bmstu.ru
Russian Federation, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1

References

  1. Семкин Н.Д., Воронов К.Е., Ильин А.Б., Пияков А.В., Шатров С.А., Плохотниченко П.Г. // ПТЭ. 2017. № 2. С. 110. https://doi.org/10.1134/S0020441217010274
  2. Абрамешин А.Е., Галухин И.А., Кечиев Л.Н., Кузнецов В.В., Назаров Р.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2012. № 3. С. 44.
  3. Voldman S.H. // 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology. Beijing, Chinea. 2008. P. 325. https://doi.org/10.1109/ICSICT.2008.4734537
  4. Ammer M., Esmark K., zur Nieden F., Rupp A., Cao Y., Sauter M., Maurer L. // 39th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD), Tucson, USA. 2017. P. 1. https://doi.org/10.23919/EOSESD.2017.8073438
  5. Наумов В.В., Гребенщиков О.А., Залесский В.Б. // ПТЭ. 2007. № 1. С. 164. eLIBRARY ID: 9465475
  6. Barth J.E., Verhaege K., Henry L.G., Richner J. // IEEE Transactions on Electronics Packaging Manufacturing. 2001. V. 24. P.99. https://doi.org/10.1109/6104.930960
  7. Ashton R.A. // Proceed. International Conference on Microelectronic Test Structures. Nara, Japan.1995. P. 127. https://doi.org/10.1109/ICMTS.1995.513959
  8. Вьюхин В.Н. // ПТЭ. 2020. № 1. С. 52. https://doi.org/10.1134/S0020441219060216
  9. Du F., Song S., Hou F., Song W., Chen L., Liu J., Liou J.J.// IEEE Electron Device Letters. 2019. V. 40. P. 1491. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2926103
  10. Teh G.L., Chim W.K. // Proceedings of the 6th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. Singapore. 1997. P. 156. https://doi.org/10.1109/IPFA.1997.638186
  11. Kuznetsov V. // IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 2018. V. 60. P. 107. https://doi.org/10.1109/TEMC.2017.2700492
  12. Максимов И.В., Кузнецов В.В., Андреев В.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2017. № 4(63). С. 35.
  13. Andreev D.V., Maslovsky V.M., Andreev V.V., Stolyarov A.A. // Phys. Status Solidi A. 2022. V. 219. № 9. P. 2100400. https://doi.org/10.1002/pssa.202100400

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download
2. Fig. 1. Typical current-voltage characteristic of a thyristor-type protective element.

Download (63KB)
Indexing metadata
3. Fig. 2. Block diagram of the setup for studying the resistance of semiconductor devices to the effects of electrostatic discharge using the TLP method.

Download (121KB)
Indexing metadata
4. Fig. 3. Setup for studying the resistance of semiconductor devices to the effects of electrostatic discharge using the TLP method: 1 – a section of RG-316 cable with a length of L=10 m, 2 – connectors for connecting a high-voltage source, 3 – a contact device with an installed IC, 4 – a module on a printed circuit board, 5 – connectors for connecting an oscilloscope.

Download (281KB)
Indexing metadata
5. Fig. 4. Form of discharge current pulse and measurement window.

Download (74KB)
Indexing metadata
6. Fig. 5. Oscillogram of the voltage pulse at the voltage measurement output (channel 1) and at the current measurement output (channel 2).

Download (281KB)
Indexing metadata
7. Fig. 6. I-V characteristics of a protective element for an IC using 3 µm technology.

Download (95KB)
Indexing metadata
8. Fig. 7. I-V characteristics of a protective element for an IC using 0.6 µm technology.

Download (94KB)
Indexing metadata

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».