ДВУХЧАСТОТНЫЙ РЕЗОНАТОР ДЛЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ СВЕРХТОНКИХ ПЕРЕХОДОВ В АЗОТНО-ВАКАНСИОННОМ ЦЕНТРЕ ОКРАСКИ В АЛМАЗЕ

Сошенко В. В.; Кожокару И. С.; Большедворский С. В.; Рубинас О. Р.; Козодаев А. М.; Дрофа С. М.; Вилюжанина П. Г.; Примак Е. А.; Смолянинов А. Н.; Акимов А. В.

doi:10.31857/S0032816223030138

ДВУХЧАСТОТНЫЙ РЕЗОНАТОР ДЛЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ СВЕРХТОНКИХ ПЕРЕХОДОВ В АЗОТНО-ВАКАНСИОННОМ ЦЕНТРЕ ОКРАСКИ В АЛМАЗЕ

Authors: Сошенко В.¹^,2, Кожокару И.¹^,2^,3, Большедворский С.¹^,2, Рубинас О.¹^,2, Козодаев А.¹^,4, Дрофа С.¹^,5, Вилюжанина П.⁴, Примак Е.²^,5, Смолянинов А.¹, Акимов А.¹^,2^,3
Affiliations:
1. Сенсор Спин Технолоджис
2. Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
3. Международный центр квантовых технологий
4. Национальный исследовательский ядерный университет ”МИФИ”, институт ЛаПлаз
5. Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Issue: No 4 (2023)
Pages: 92-96
Section: ОБЩАЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ТЕХНИКА
URL: https://journals.rcsi.science/0032-8162/article/view/138432
DOI: https://doi.org/10.31857/S0032816223030138
EDN: https://elibrary.ru/IUQXAU
ID: 138432

Cite item

Full Text

Open Access
Restricted Access

Access granted
Restricted Access

Subscription Access

Abstract
About the authors
References
Supplementary files
Statistics

Abstract

Представлены результаты разработки двухчастотного резонатора для частот 4.95 и 7.1 МГц, соответствующих частотам сверхтонких переходов основного состояния азотно-вакансионного центра окраски в алмазе. Продемонстрирована работоспособность резонатора путем наблюдения осцилляций Раби. Амплитуда переменного магнитного поля составила 1.6 и 1 мТл для частот поля 4.95 и 7.1 МГц соответственно при мощности на входе резонатора 0.3 Вт.

About the authors

В. Сошенко

Сенсор Спин Технолоджис; Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН

Author for correspondence.
Email: soshenko.v@gmail.com
Россия, 121205, Москва, Территория инновационного центра “Сколковоˮ ул. Нобеля, 7, помещение 54; Россия, 119991, Москва, Ленинский просп., 53

И. Кожокару

Сенсор Спин Технолоджис; Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН; Международный центр квантовых технологий

Author for correspondence.
Email: ivancojocaruwork@gmail.com
Россия, 121205, Москва, Территория инновационного центра “Сколковоˮ ул. Нобеля, 7, помещение 54; Россия, 119991, Москва, Ленинский просп., 53; Россия, 121205, Москва, Территория инновационного центра“Сколковоˮ, Большой бульвар, 30, стр. 1

С. Большедворский

Сенсор Спин Технолоджис; Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН

О. Рубинас

Сенсор Спин Технолоджис; Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН

А. Козодаев

Сенсор Спин Технолоджис; Национальный исследовательский ядерный университет ”МИФИ”, институт ЛаПлаз

Email: ivancojocaruwork@gmail.com
Россия, 121205, Москва, Территория инновационного центра “Сколковоˮ ул. Нобеля, 7, помещение 54; Россия, 115409, Москва

С. Дрофа

Сенсор Спин Технолоджис; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Email: ivancojocaruwork@gmail.com
Россия, 121205, Москва, Территория инновационного центра “Сколковоˮ ул. Нобеля, 7, помещение 54; Россия, 141701, Долгопрудный, Московской обл., Институтский пер., 9

П. Вилюжанина

Национальный исследовательский ядерный университет ”МИФИ”, институт ЛаПлаз

Email: ivancojocaruwork@gmail.com
Россия, 115409, Москва

Е. Примак

Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Email: ivancojocaruwork@gmail.com
Россия, 119991, Москва, Ленинский просп., 53; Россия, 141701, Долгопрудный, Московской обл., Институтский пер., 9

А. Смолянинов

Сенсор Спин Технолоджис

Email: ivancojocaruwork@gmail.com
Россия, 121205, Москва, Территория инновационного центра “Сколковоˮ ул. Нобеля, 7, помещение 54

А. Акимов

Сенсор Спин Технолоджис; Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН; Международный центр квантовых технологий

Email: ivancojocaruwork@gmail.com
Россия, 121205, Москва, Территория инновационного центра “Сколковоˮ ул. Нобеля, 7, помещение 54; Россия, 119991, Москва, Ленинский просп., 53; Россия, 121205, Москва, Территория инновационного центра“Сколковоˮ, Большой бульвар, 30, стр. 1

References

Schirhagl R., Chang K., Loretz M., Degen C.L. // Annu. Rev. Phys. Chem. 2014. V. 65. P. 83 https://doi.org/10.1146/annurev-physchem-040513-103659
Acosta V.M., Bauch E., Ledbetter M.P., Waxman A., Bouchard L.-S., Budker D. // Phys. Rev. Let. 2010. V. 104. P. 070801. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.070801
Soshenko V.V., Bolshedvorskii S.V., Rubinas O., Sorokin V.N., Smolyaninov A.N., Vorobyov V.V., Akimov A.V. // Phys. Rev. Let. 2021. V. 126. P. 197702. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.126.197702
Vorobyov V.V., Soshenko V.V., Bolshedvorskii S.V., Javadzade J., Lebedev N., Smolyaninov A.N., Sorokin V.N., Akimov A.V. // The European Physical Journal D. 2016. V. 70. Article number 269. https://doi.org/10.1140/epjd/e2016-70099-3
Hirose M., Cappellaro P. // Nature. 2016. V. 532. P. 77. https://doi.org/10.1038/nature17404
Sangtawesin S., McLellan C.A., Myers B.A., Bleszyn-ski Jayich A.C., Awschalom D.D., Petta J.R. // New J. Phys. 2016. V. 18. P. 083016. https://doi.org/10.1088/1367-2630/18/8/083016
Soshenko V.V., Vorobyov V.V., Bolshedvorskii S.V., Rubinas O., Cojocaru I., Kudlatsky B., Zeleneev A.I., Sorokin V.N., Smolyaninov A.N., Akimov A.V. // Phys. Rev. B. 2020. V. 102. P. 125133. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.125133
Chen M., Hirose M., Cappellaro P. // Phys. Rev. B. 2015. V. 92. P. 020101(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.020101