Установка для терморефлектометрии полупроводниковых материалов в сильном магнитном поле при низких температурах

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

Разработаны конструкция экспериментальной ячейки и оптоэлектронный блок для исследования релаксационных процессов в приповерхностной области полупроводников при импульсном лазерном облучении в температурном диапазоне от 3 до 300 К и магнитном поле до 12 Тл.

About the authors

А. Котов

Институт теплофизики УрО РАН

Author for correspondence.
Email: artem625@mail.ru
Россия, 620016, Екатеринбург, ул. Амундсена, 107а

А. Старостин

Институт теплофизики УрО РАН

Email: bobin@imp.uran.ru
Россия, 620016, Екатеринбург, ул. Амундсена, 107а

В. Шангин

Институт теплофизики УрО РАН

Email: bobin@imp.uran.ru
Россия, 620016, Екатеринбург, ул. Амундсена, 107а

С. Бобин

Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН

Author for correspondence.
Email: bobin@imp.uran.ru
Россия, 620108, Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 18

А. Лончаков

Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН

Email: bobin@imp.uran.ru
Россия, 620108, Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 18

References

  1. Starostin A.A., Shangin V.V., Lonchakov A.T., Kotov A.N., Bobin S.B. // Annalen der Physik 2020. V. 532. Iss. 8. P. 1900586. https://doi.org/10.1002/andp.201900586
  2. Wang T., Zheng S., Yang Z. // Sensors and Actuators A. 1998. V. 69. P. 134.
  3. Новицкий Л.А., Кожевников И.Г. Теплофизические свойства материалов при низких температурах. Справочник. М.: Машиностроение, 1975.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2.

Download (253KB)
3.

Download (145KB)

Copyright (c) 2023 А.Н. Котов, А.А. Старостин, В.В. Шангин, С.Б. Бобин, А.Т. Лончаков

This website uses cookies

You consent to our cookies if you continue to use our website.

About Cookies