Отправить статью по E-mail Исследование особенностей концентрационных неоднородностей при наземной отработке космического эксперимента по росту кристаллов Gе(Ga)
- Авторы: Коробейникова Е.Н.1, Стрелов В.И.1, Супельняк С.И.1, Власов В.Н.1
-
Учреждения:
- Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
- Выпуск: Том 69, № 4 (2024)
- Страницы: 700-704
- Раздел: РОСТ КРИСТАЛЛОВ
- URL: https://journals.rcsi.science/0023-4761/article/view/264436
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124040176
- EDN: https://elibrary.ru/XBPZGM
- ID: 264436
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Представлены результаты подготовки и наземной отработки космического эксперимента по выращиванию кристаллов Ge(Ga), планируемого на борту многофункционального лабораторного модуля в составе российского сегмента Международной космической станции. В условиях, моделирующих микрогравитацию, исследованы особенности формирования концентрационной неоднородности в виде полос роста при выращивании кристаллов в различных тепловых условиях (при наличии или отсутствии свободной поверхности расплава (конвекции Марангони)), а также при изменении технологических параметров (вариации скорости роста). По полученным результатам металлографических и электрофизических исследований сделаны выводы об особенностях влияния в условиях микрогравитации технологических параметров процесса кристаллизации на структурное совершенство выращиваемых кристаллов.
Об авторах
Е. Н. Коробейникова
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Автор, ответственный за переписку.
Email: enkorob@mail.ru
Россия, Москва
В. И. Стрелов
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: enkorob@mail.ru
Россия, Москва
С. И. Супельняк
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: enkorob@mail.ru
Россия, Москва
В. Н. Власов
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: enkorob@mail.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности. М.: Мир, 1991. 143 с.
- Carlson D.J., Witt A.F. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 108. P. 508. https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90228-W
- Wang C.A., Carlson D., Motakef S. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 264. P. 565. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2003.12.043
- Голышев В.Д., Гоник М.А. Устройство для выращивания кристаллов. Патент РФ № 1800854, 1990.
- Ostrogorsky A.G. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 104. P. 233. https://doi.org/10.1016/0022-0248(90)90122-2
- Волков П.К., Захаров Б.Г., Серебряков Ю.А. // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 5. С. 935. https://doi.org/10.1134/1.1312937
- Моризейн К., Витт А., Гейтос Х. // Проблемы роста кристаллов / Под ред. Шефталя Н.Н., Гиваргизова Е.И. М.: Мир, 1968. С. 251.
- Serebryakov Yu.A., Prokhorov I.A., Vlasov V.N. et al. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 304. P. 11. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.01.045
- Серебряков Ю.А., Сидоров В.С., Прохоров И.А. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2014. № 7. С. 49. https://doi.org/10.7868/S0207352814070166
- Trumbore F.A., Porbansky E.M., Tartaglia A.A. // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 11. P. 239. https://doi.org/10.1016/0022-3697(59)90220-3
- Bottago A., Zebib A. // J. Cryst. Growth. 1989. V. 97. P. 50.
- Полежаев В.И., Простомолотов А.И., Верезуб Н.А. и др. // Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур. Труды второго симпозиума. Обнинск, 1998. С. 310.
- Сидоров B.C., Захаров Б.Г., Серебряков Ю.А. и др. // Приборы и техника эксперимента. 1999. № 2. С. 148.
- Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. М: Мир, 1990. 492 с.
- Власов В.Н., Серебряков Ю.А., Стрелов В.И. // Устройство для измерения распределения удельного сопротивления в полупроводниковых материалах. Патент РФ № 145584. Заявка № 2014115440 от 15.08.2014. Приоритет от 18.04.2014. Бюл. № 26. 20.09.2014.
- Власов В.Н., Стрелов В.И., Коробейникова Е.Н. // Приборы и техника эксперимента. 2019. № 5. С. 114. https://doi.org/10.1134/S0032816219040311
- Картавых А.В. // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 6. С. 1108.
- Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2003. № 6. С. 77.
- Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2005. № 10. С. 80.
