Enviar artigo por via de e-mail Study of the features of concentration inhomogeneities during the on ground-based processing of the space experiment of the Ge(Ga) crystals growth
- Autores: Korobeynikova E.1, Strelov V.1, Supel’nyak S.1, Vlasov V.1
-
Afiliações:
- National Research Centre “Kurchatov Institute”
- Edição: Volume 69, Nº 4 (2024)
- Páginas: 700-704
- Seção: CRYSTAL GROWTH
- URL: https://journals.rcsi.science/0023-4761/article/view/264436
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124040176
- EDN: https://elibrary.ru/XBPZGM
- ID: 264436
Citar
Acesso aberto
Acesso está concedido
Somente assinantes
Resumo
The article presents the results of the preparation and ground testing of the space experiment for growing Ge (Ga) crystals, planned on board the multifunctional laboratory module as part of the ISS RS. Under the conditions simulating microgravity, the features of the formation of concentration inhomogeneity in the form of growth bands when growing crystals under various thermal conditions (in the presence or absence of a free melt surface (Marangoni convection)), as well as when changing technological parameters (variations in growth rate) were investigated. Based on the obtained results of metallographic and electrophysical studies, conclusions were made about the peculiarities of the influence of the technological parameters of the crystallization process on the structural perfection of the grown crystals under microgravity conditions
Sobre autores
E. Korobeynikova
National Research Centre “Kurchatov Institute”
Autor responsável pela correspondência
Email: enkorob@mail.ru
Rússia, Moscow
V. Strelov
National Research Centre “Kurchatov Institute”
Email: enkorob@mail.ru
Rússia, Moscow
S. Supel’nyak
National Research Centre “Kurchatov Institute”
Email: enkorob@mail.ru
Rússia, Moscow
V. Vlasov
National Research Centre “Kurchatov Institute”
Email: enkorob@mail.ru
Rússia, Moscow
Bibliografia
- Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности. М.: Мир, 1991. 143 с.
- Carlson D.J., Witt A.F. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 108. P. 508. https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90228-W
- Wang C.A., Carlson D., Motakef S. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 264. P. 565. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2003.12.043
- Голышев В.Д., Гоник М.А. Устройство для выращивания кристаллов. Патент РФ № 1800854, 1990.
- Ostrogorsky A.G. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 104. P. 233. https://doi.org/10.1016/0022-0248(90)90122-2
- Волков П.К., Захаров Б.Г., Серебряков Ю.А. // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 5. С. 935. https://doi.org/10.1134/1.1312937
- Моризейн К., Витт А., Гейтос Х. // Проблемы роста кристаллов / Под ред. Шефталя Н.Н., Гиваргизова Е.И. М.: Мир, 1968. С. 251.
- Serebryakov Yu.A., Prokhorov I.A., Vlasov V.N. et al. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 304. P. 11. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.01.045
- Серебряков Ю.А., Сидоров В.С., Прохоров И.А. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2014. № 7. С. 49. https://doi.org/10.7868/S0207352814070166
- Trumbore F.A., Porbansky E.M., Tartaglia A.A. // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 11. P. 239. https://doi.org/10.1016/0022-3697(59)90220-3
- Bottago A., Zebib A. // J. Cryst. Growth. 1989. V. 97. P. 50.
- Полежаев В.И., Простомолотов А.И., Верезуб Н.А. и др. // Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур. Труды второго симпозиума. Обнинск, 1998. С. 310.
- Сидоров B.C., Захаров Б.Г., Серебряков Ю.А. и др. // Приборы и техника эксперимента. 1999. № 2. С. 148.
- Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. М: Мир, 1990. 492 с.
- Власов В.Н., Серебряков Ю.А., Стрелов В.И. // Устройство для измерения распределения удельного сопротивления в полупроводниковых материалах. Патент РФ № 145584. Заявка № 2014115440 от 15.08.2014. Приоритет от 18.04.2014. Бюл. № 26. 20.09.2014.
- Власов В.Н., Стрелов В.И., Коробейникова Е.Н. // Приборы и техника эксперимента. 2019. № 5. С. 114. https://doi.org/10.1134/S0032816219040311
- Картавых А.В. // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 6. С. 1108.
- Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2003. № 6. С. 77.
- Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2005. № 10. С. 80.
