Analysis of crystal structure of epitaxial nanoheterostructures with multiple pseudomorphic quantum wells {InхGa1–хAs/GaAs} on GaAs (100), (110) AND (111) )А substrates

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The crystal structure of {In0.1Ga0.9As/GaAs} × 10 and {In0.2Ga0.8As/GaAs} × 10 epitaxial multilayer films on GaAs substrates with different orientations has been studied (100), (110), (111)A in order to identify features that may be related to the previously discovered increased efficiency of terahertz radiation generation in films with orientations (110) and (111)A. Significant concentrations of twins and package defects were found in films on non-standard GaAs (110) and (111)A substrates. The composition and thicknesses of individual layers of heterostructures on GaAs (100) substrates have been refined by analyzing thickness fluctuations on diffraction reflection curves.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

Е. Klimov

National Research Centre “Kurchatov Institute”; Orion R&P Association, JSC

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Ресей, Moscow; Moscow

A. Klochkov

National Research Nuclear University “MEPhI”

Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Ресей, Moscow

S. Pushkarev

National Research Centre “Kurchatov Institute”

Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Ресей, Moscow

Әдебиет тізімі

  1. Naftaly M., Vieweg N., Deninger A. // Sensors. 2019. V. 19. P. 4203. https://doi.org/ 10.3390/s19194203
  2. Consolino L., Bartalini S., De Natale P. // J. Infrared Millim. Terahertz Waves. 2017. V. 38. P. 1289.
  3. Hafez H.A., Chai X., Ibrahim A. et al. // J. Opt. 2016. V. 18. P. 093004. https://doi.org/10.1088/2040-8978/18/9/093004
  4. Dhillon S.S., Vitiello M.S., Linfield E.H. et al. // J. Phys. D. 2017. V. 50. P. 043001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/50/4/043001
  5. Krotkus A. // J. Phys. D. 2010. V. 43. P. 273001. https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/27/273001
  6. Burford N.M., El-Shenawee M.O. // Opt. Eng. 2017. V. 56. P. 010901. https://doi.org/10.1117/1.OE.56.1.010901
  7. Apostolopoulos V., Barnes M.E. // J. Phys. D. 2014. V. 47. P. 374002. https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/37/374002
  8. Castro-Camus E., Alfaro M. // Photon. Res. 2016. V. 4. P. A36. https://doi.org/10.1364/PRJ.4.000A36
  9. Ilg M., Ploog K.H., Trampert A. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. № 23. P. 17111. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.17111
  10. Климов Е.А., Клочков А.Н., Солянкин П.М. и др. // Квантовая электроника. 2024. Т. 54. № 1. С. 43.
  11. Шик А.Я. Сверхрешетка // Большая российская энциклопедия: научно-образовательный портал. https://bigenc.ru/c/sverkhreshiotka-a2f3e5/?v=5490666
  12. Yerino Christopher D., Liang Baolai, Huffaker Diana L. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2017. V. 35. P. 010801. https://doi.org/10.1116/1.4972049
  13. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. и др. // Микроэлектроника. 2023. Т. 52. № 3. С. 167. https://doi.org/10.31857/S054412692370031X
  14. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. // Нано- и микросистемная техника. 2022. Т. 24. № 6. С. 283. https://doi.org/10.17587/nmst.24.283-287

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Design of superlattice nanoheterostructures. QW – quantum well.

Жүктеу (159KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Bright-field TEM images of samples: a – 105 (100), b – 103 (110), 104 (111)A. The insets show the corresponding electron diffraction patterns.

Жүктеу (264KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Defects in sample 104 (111)A: a – defect formed in the middle of the film thickness and growing to the surface, bright-field TEM image; b – twinning and stacking defects, high-resolution image.

Жүктеу (706KB)
Метадеректер
5. Fig. 4. Bright-field TEM images of dislocations in samples: a – 106 (100), b – 102 (110), c – 102 (111)A.

Жүктеу (494KB)
Метадеректер
6. Fig. 5. KDO 004 of samples 105 (a) and 106 (b) on GaAs(100) substrates.

Жүктеу (323KB)
Метадеректер
7. Fig. 6. Asymmetrical RDCs of 422 samples 105 (a) and 106 (b) on GaAs(100) substrates at small angles of incidence (1) and small angles of reflection (2).

Жүктеу (245KB)
Метадеректер
8. Fig. 7. RDC 111 of samples 102 (1), 104 (2), 107 (3), 108 (4) on GaAs(111)A substrates; for better visualization, RDC are spaced vertically.

Жүктеу (172KB)
Метадеректер

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».