Тонкие текстурированные пленки CdTe на подложках из кремния и сапфира: термическое напыление из газовой фазы и структурная характеризация

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Методом термического напыления из газовой фазы выращены тонкие пленки CdTe на подложках Si (111) и Al2O3 (0001). Полученные пленки изучены методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, а также рентгенофазового анализа. Обнаружено, что на подложках Al2O3 (0001) возможно получение тонких пленок как вюрцитной модификации CdTe, так и сфалеритной. На подложках Si возможно получение тонких пленок сфалеритной модификации CdTe. Показано, что элементный состав тонких пленок близок к стехиометрии, причем в случае тонких пленок, выращенных на Al2O3 (0001), отклонение не превышало 1 ат. %.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

И. О. Кошелев

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Автор, ответственный за переписку.
Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

И. С. Волчков

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

П. Л. Подкур

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

Д. Р. Хайретдинова

Национальный исследовательский технологический университет “МИСИС”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

И. М. Долуденко

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

В. М. Каневский

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Owens A., Peacock A. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2004. V. 531. P. 18. https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.05.071
  2. Fonthal G., Tirado-Mejıa L., Marın-Hurtado J.I. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 2000. V. 61. № 4. P. 579. https://doi.org/10.1016/S0022-3697(99)00254-1
  3. Rühle S. // Sol. Energy. 2016. V. 130. P. 139. https://doi.org/10.1016/j.solener.2016.02.015
  4. Munshi A.H., Kephart J.M., Abbas A. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2018. V. 176. P. 9. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2017.11.031
  5. Ivanov Yu.M. // J. Сryst. Growth. 1996. V. 161. № 1–4. P. 12. https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00604-4
  6. Михайлов В.И., Поляк Л.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2021. Т. 7. C. 43. https://doi.org/10.31857/S102809602107013X
  7. Zhang S., Zhang J., Qiu X. et al. // J. Cryst. Growth. 2020. V. 546. P. 125756. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125756
  8. Михайлов В., Буташин А., Каневский В. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2011. Т. 6. C. 97.
  9. Ramanujam J., Bishop D., Todorov T. et al. // Prog. Mater. Sci. 2020. V. 110. P. 100619. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2019.100619
  10. Dharmadasa I., Echendu O., Fauzi F. et al. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2017. V. 28. P. 2343. https://doi.org/10.1007/s10854-016-5802-9
  11. Quintana-Silva G., Sobral H., Rangel-Cárdenas J. // Chemosensors. 2022. V. 11. № 1. P. 4. https://doi.org/10.3390/chemosensors11010004
  12. Quiñones-Galván J., Camps E., Campos-González E. et al. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. № 12. P. 125304. https://doi.org/10.1063/1.4931677
  13. Гельман Ю., Дымшиц Ю., Самохвалов Ю. и др. // Приборы и техника эксперимента. 1994. № 5. C. 181.
  14. Jiménez-Sandoval S., Meléndez-Lira M., Hernández-Calderón I. // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. № 9. P. 4197. https://doi.org/10.1063/1.352230
  15. Zanio K. Semiconductors and Semimetals. V. 13. New York: Academic press, INC., 1978. 235 p.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Расположение подложки относительно области распыления CdTe в установке термического напыления (а) и зависимость отклонения содержания Cd (ат. %) от стехиометрии (б)

Скачать (177KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Рентгеновские дифрактограммы тонких пленок CdTe, выращенных на подложках Si (а) и Al2O3 (б). На врезке – увеличенная область дифрактограммы для тонкой пленки, выращенной на подложке Al2O3, в интервале углов 42°–52°. Номера кривых соответствуют номерам областей на рис. 1а

Скачать (237KB)
Метаданные
4. Рис. 3. АСМ-изображения тонкой пленки CdTe, выращенной на подложке Al2O3 (0001): а, б, в – области 1, 2, 3 соответственно. На врезке – увеличенный вид крупных кристаллитов, предположительно, гексагональной фазы вюрцита

Скачать (258KB)
Метаданные
5. Рис. 4. АСМ-изображения тонкой пленки CdTe, выращенной на подложке Si (111): а, б, в – области 1, 2, 3 соответственно. На врезке – увеличенный вид области 1

Скачать (223KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».