Плотность незаполненных электронных состояний сверхтонких слоев дибромо-биантрацена на поверхности послойно выращенного ZnO

Cover Page

Cite item

Full Text

Abstract

Приведены результаты исследования топографии поверхности и плотности незаполненных электронных состояний при термическом осаждении сверхтонких пленок дибромо-биантрацена на поверхность ZnO. Измерения электронных характеристик незаполненных электронных состояний в процессе роста пленок дибромо-биантрацена до толщины 10 нм проводили методом спектроскопии полного тока с использованием тестирующего электронного пучка. Анализ экспериментальных зависимостей проводили с использованием теоретического расчета энергий орбиталей молекул дибромо-биантрацена методом теории функционала плотности.

Full Text

ВВЕДЕНИЕ

Изучение электронных свойств структур на основе сопряженных органических молекул, осажденных на поверхность неорганических полупроводников, представляет значительный интерес в плане применения результатов этих исследований в разработке устройств органической электроники [1–5]. Органические полупроводники на основе молекул антрацена могут быть использованы в качестве активных слоев в макетах органических полевых транзисторов, светоизлучающих органических устройств [5–7]. В целях оптимизации характеристик органических электронных устройств целесообразно контролировать электронную систему органического слоя, что можно обеспечить путем переноса электронного заряда на границе органического материала и твердотельной поверхности [8–10] или путем введения электроактивных заместителей в органическую молекулу [11, 12]. В качестве подложки для органического слоя интерес представляют материалы на основе бинарных полупроводников, например ZnO. Одним из удобных методов синтеза слоев ZnO является метод молекулярного наслаивания (МН) [13]. С его помощью могут быть сформированы сплошные ZnO покрытия исходной кремниевой подложки толщиной от единиц до сотен нанометров.

При исследованиях электронных свойств полупроводниковых органических пленок интерес представляет расположение энергетических состояний в валентной зоне и в зоне проводимости этих материалов, плотности незаполненных электронных состояний (DOUS). Среди экспериментальных подходов к изучению DOUS органических полупроводников следует упомянуть спектроскопию резонансного захвата электронов [7, 14, 15], направленную на исследования органических молекул в газовой фазе, и метод спектроскопии полного тока (СПТ), позволяющий проводить исследования сверхтонких органических покрытий на поверхности твердого тела [12, 16, 17]. При использовании этих экспериментальных методик и теоретических расчетов методом теории функционала плотности (DFT) было показано достаточно хорошее соответствие между максимумами DOUS ряда полупроводниковых органических материалов и энергиями вакантных орбиталей молекул в составе этого материала [15, 18]. Стабильность молекулярных структур на основе замещенных антраценов и нафталинов при воздействии пучка низкоэнергетических электронов была продемонстрирована при исследованиях методом спектроскопии резонансного захвата [7]. В данной статье приведены результаты исследования методом СПТ электронных состояний зоны проводимости сверхтонких пленок дибромо-биантрацена (DBBA) (рис. 1) на поверхности ZnO, выращенных послойно методом МН. Приведены результаты по установлению основных максимумов DOUS исследованных пленок в диапазоне от 5 до 20 эВ выше уровня Ферми EF с использованием СПТ и теоретических расчетов методом DFT. Приведены результаты исследования методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) топографии поверхности исследованных пленок DBBA.

 

Рис. 1. Структурная формула молекул дибромо-биантрацена (10,10-dibromo-9,9-bianthracene, DBBA).

 

МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ

Для термического вакуумного осаждения пленок использовали коммерческий DBBA (Sigma-Aldrich). Дегазацию реактива проводили путем его выдерживания in situ в течение нескольких часов в вакуумной камере при базовом давлении 10–6 Па и температуре 100°C. В качестве подложки для нанесения органических материалов использовали поверхность полупроводника ZnO, приготовленную методом МН на поверхность кремниевой пластины (SiO2) n-Si. Поверхность кремния была предварительно очищена в 10%-ном растворе HF и смеси H2O2/H2SO4. Синтез ZnO проводили путем поочередной экспозиции подложки к потоку диэтилцинка Zn(С2H5)2 и деионизированной воды в газовой фазе. Температуру во время синтеза поддерживали в области 200–250°C. Топографию поверхности исследованных пленок DBBA толщиной 10–20 нм изучали методом АСМ в полуконтактной моде на микроскопе Ntegra Spectra (NT-MDT Spectrum Instruments).

При проведении экспериментов методом СПТ [16, 19] падающий пучок электронов с площадью поперечного сечения 0.2–0.4 мм2 и энергией, которую варьировали в диапазоне от 0 до 25 эВ, тестировали электронные характеристики исследуемой поверхности. СПТ-измерения проводили непосредственно в процессе термического осаждения органического покрытия толщиной до 8 нм. Скорость осаждения составляла ~0.1 нм/мин. Во время осаждения пленок допускали повышение давления в вакуумной камере на порядок от базового давления (10–6 Па). Пучок падающих электронов создает ток через образец, с помощью СПТ регистрировали производную по энергии от проходящего тока S(E) как функцию энергии падающих электронов [19, 20]. Зависимость S(E) – тонкая структура спектров полного тока (ТССПТ) – определяли энергетическим расположением максимумов плотности незаполненных электронных состояний DOUS исследуемой поверхности [16, 21, 22].

Теоретический анализ DOUS исследованных пленок проводили с применением программы Gaussian [23] путем расчетов методом DFT с помощью гибридного функционала B3LYP в базисе 6-31G(d). π*- и σ*-характер DOUS максимумов устанавливали на основе полученного из расчета пространственного распределения вакантных орбиталей. Рассчитанные значения энергий вакантных орбиталей (VOE) корректировали с помощью процедуры масштабирования. Эмпирические выражения для масштабирования были подобраны на основе анализа серии экспериментальных и расчетных данных о незаполненных электронных состояниях материалов на основе малых сопряженных органических молекул [18, 24, 25]. Выражения для вычисления скорректированных значений энергий орбиталей (SVOE) различались для орбиталей π*- и σ*-типа. В случае молекулярных π*-орбиталей применяли выражение SVOE = = (VOE + 1.14)/1.24, а в случае σ*-орбиталей – выражение SVOE = (VOE + 0.97)/0.79 [24, 25].

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

АСМ-изображение поверхности исследованных пленок DBBA на ZnO-подложке, полученной методом МН, представлено на рис. 2. Пленки DBBA формируют практически сплошное покрытие поверхности подложки на достаточно протяженных участках размером 3 × 3 мкм и более. Шероховатость поверхности на таких участках не превышает 4 нм. Размеры областей, выступающих над средним значением высоты, составляют 100–400 нм в плоскости поверхности пленки. Обнаруженная топография поверхности пленки DBBA отличается от топографии, характерной для поверхности ZnO, полученной методом МН, которая представляет собой зернистую структуру с зернами размером 50–100 нм в плоскости поверхности и высотой до 5 нм. Установление степени заполнения поверхности подложки нанесенным на подложку слоем DBBA дает возможность проводить анализ изменения интенсивности максимумов ТССПТ, предполагая экспоненциальный рост интенсивности максимумов осаждаемого слоя и экспоненциальное затухание сигнала подложки [20]. Формирование сплошного органического покрытия на поверхности окисленного кремния, германия и ZnO, полученного методом МН, наблюдали ранее в случае нескольких видов сопряженных органических молекул, например олигомеров тиофен-фенилен соолигомеров, замещенных периленов [12, 27]. При термическом осаждении таких пленок скорость увеличения толщины составляла ~1 нм/мин. В случае физической адсорбции молекул на поверхность подложки именно вид органической молекулы и способность молекулярного вещества к кристаллизации определяют шероховатость и пористость органического покрытия [4, 26].

 

Рис. 2. АСМ-изображение участка поверхности 3 × 3 мкм2 пленки DBBA на поверхности ZnO, полученной методом МН. Градации серого цвета от черного до белого соответствуют перепаду высот от 0 до 10 нм. Профиль участка поверхности на отрезке, отмеченном белым горизонтальным баром, показан снизу.

 

Серия зависимостей ТССПТ, экспериментально измеренная в процессе осаждения пленок DBBA на поверхность ZnO, полученной методом МН, представлена на рис. 3. Формирование максимума ТССПТ при определенном значении энергии соответствует повышению интенсивности входа падающих электронов в исследованную поверхность, что обусловлено повышением плотности разрешенных электронных состояний при данном значении энергии. ТССПТ, соответствующая нулевой толщине органического покрытия, исходит от поверхности подложки ZnO, полученной методом МН. ТССПТ исследованной подложки демонстрирует несколько отчетливых максимумов, в том числе при энергиях 8.0, 11.0 и 16.0 эВ. В процессе увеличения толщины органического слоя ТССПТ подложки затухала, и одновременно нарастала интенсивность новой ТССПТ. При толщине пленки DBBA 8 нм сформировалась стабильная ТССПТ вновь сформированной поверхности с характерными максимумами D1–D4, расположенными при энергиях 7.0, 7.5, 9.0 и 13.5 эВ соответственно (рис. 3). Следует отметить, что максимумы D1–D4 начали появляться на ТССПТ и при меньшей толщине органического слоя, после достижения пленки толщины 2 нм. При увеличении толщины DBBA покрытия более 8 нм ТССПТ практически не изменялась, а при толщине более 10 нм продолжение осаждения приводило к искажениям ТССПТ вследствие зарядки поверхности под действием падающего электронного пучка.

 

Рис. 3. ТCСПТ в процессе осаждения покрытия пленки DBBA на поверхности ZnO, полученной методом МН. Около каждой кривой указана соответствующая толщина органического слоя. Вертикальные пунктирные линии проведены в области максимумов D1–D4.

 

На основе экспериментальных зависимостей ТССПТ пленок DBBA (рис. 3) были построены зависимости DOUS этих исследованных образцов (рис. 4a). Структура максимумов DOUS может быть построена в виде производной зависимости S(E) с обратным знаком: –dS(E)/dE, как обсуждалось ранее в ряде работ [16, 21, 28]. Таким образом, DOUS пленок DBBA в энергетическом диапазоне от 5 до 20 эВ выше EF представлена серией максимумов (рис. 4a). Причем при энергиях менее 7.5 эВ наблюдается один максимум, в диапазоне от 7.5 до 12.5 эВ – три максимума, а при энергиях выше 12.5 эВ наблюдается широкий максимум, который, вероятно, состоит из нескольких компонент. Форму максимума в области энергий выше 12.5 эВ следует связывать с тем, что при увеличении энергии падающего электрона происходит размытие экспериментально наблюдаемых максимумов DOUS. Для анализа экспериментальных зависимостей DOUS провели расчет энергий орбиталей исследованных молекул DBBA методом DFT на уровне B3LYP/6-31G(d), последующую корректировку рассчитанных значений [24, 25] на основе закономерностей, рассмотренных выше, а также учет энергии поляризации среды в конденсированном состоянии [29]. В результате операции свертки рассчитанных энергий орбиталей (рис. 4б, линейчатый спектр) с функцией Гаусса построена теоретическая зависимость DOUS пленок DBBA (рис. 4б). С целью наиболее наглядного сопоставления теоретической и экспериментальных DOUS для области энергий ниже 12.5 эВ выбрана функция Гаусса с параметром полной ширины на половине высоты (full width at half maximum, FWHM) 0.7 эВ. Для больших значений энергии использовали FWHM, равную 1.5 эВ. При сравнении теоретических и экспериментальных DOUS зависимостей обнаружено хорошее соответствие энергетического расположения максимумов во всем рассмотренном диапазоне энергий от 5 до 20 эВ выше EF (рис. 4). Так, в диапазоне от 7.5 до 12.5 эВ наблюдаются три максимума, а при энергиях выше 12.5 эВ – широкий максимум. Значения энергий ниже 5.5 эВ над EF выходят за рамки диапазона, в котором DOUS может быть установлена экспериментально с помощью СПТ-измерений. Поэтому экспериментальному максимуму при энергии ~6.5 эВ соответствует одна из вершин сдвоенного теоретического максимума. Теоретическая DOUS демонстрирует вторую вершину максимума при 5.5 эВ и максимум, расположенный примерно при 4 эВ, соответствующий низшей незаполненной молекулярной орбитали (lowest unoccuped molecular orbital, LUMO).

 

Рис. 4. DOUS пленок DBBA на основе результатов СПТ-экспериментов (a) и на основе результатов расчетов с использованием методов DFT (б). Расчеты проводили методом DFT на уровне B3LYP/6–31G(d) и использовали последующую корректировку по формулам SVOE. Линейчатый спектр в нижней части (б) – значения энергий молекулярных орбиталей, установленных в ходе расчета теоретической DOUS. Вертикальные пунктирные линии проведены для удобства сравнения положения максимумов.

 

Результаты проведенного теоретического расчета позволили с помощью программного пакета [23] визуализировать пространственную локализацию вакантных орбиталей пленок DBBA. Это позволило установить π*- или σ*-характер орбиталей и определить, какие из этих видов орбиталей формируют каждый из установленных максимумов DOUS исследованных пленок. Так, максимумы DOUS при энергиях менее 10.5 эВ над EF (рис. 4) образованы преимущественно π*-орбиталями. Широкий максимум DOUS при энергиях выше 12.5 эВ сформирован σ*-орбиталями. Максимум DOUS при энергии 11.5–12.0 эВ имеет смешанный π*- и σ*-характер. Формирование смешанных максимумов DOUS, образованных одновременно π*- и σ*-орбиталями, обсуждали ранее в [30, 31]. Так, было обнаружено, что при введении электрон-активных заместителей в молекулы происходил энергетический сдвиг части низколежащих σ*-орбиталей в область, характерную для расположения DOUS максимумов π*-типа [29]. Смешанные π* и σ* энергетические области DOUS при энергиях 10–15 эВ выше EF были также обнаружены ранее в результате исследований пленок нескольких видов сопряженных органических молекул [28, 32].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Пленки DBBA, термически осажденные на поверхность ZnO, полученную методом МН, формируют сплошное покрытие поверхности подложки на участках размером 3 × 3 мкм и более. Шероховатость поверхности на таких участках не превышает 4 нм. Методом СПТ исследованы электронные состояния зоны проводимости пленок DBBA толщиной до 10 нм в энергетическом диапазоне от 5 до 20 эВ над уровнем Ферми. На основе результатов СПТ-экспериментов и теоретических расчетов с иcпользованием методов DFT показано, что DOUS пленок DBBA представлена серией максимумов. При энергиях менее 7.5 эВ наблюдается один максимум, в диапазоне от 7.5 до 12.5 эВ – три максимума, а при энергиях в диапазоне от 12.5 до 18 эВ – широкий максимум DOUS. Установлено, что максимумы DOUS при энергиях менее 10.5 эВ над EF образованы преимущественно π*-орбиталями. Широкий максимум DOUS при энергиях выше 12.5 эВ сформирован σ*-орбиталями. Максимум DOUS при энергии 11.5–12.0 эВ имеет смешанный π*- и σ*-характер.

СПТ-эксперименты и теоретический анализ выполнены при поддержке Российского научного фонда (грант № 19-13-00021) https://rscf.ru/project/19-13-00021/. АСМ-измерения выполнены при финансовой поддержке СПбГУ (проект № 93021679) с использованием оборудования Научного парка СПбГУ “Физические методы исследования поверхности”, “Инновационные технологии композитных наноматериалов” и “Диагностика функциональных материалов для медицины, фармакологии и наноэлектроники”.

×

About the authors

А. С. Комолов

Санкт-Петербургский государственный университет

Author for correspondence.
Email: a.komolov@spbu.ru
Russian Federation, г. Санкт-Петербург

Э. Ф. Лазнева

Санкт-Петербургский государственный университет

Email: a.komolov@spbu.ru
Russian Federation, г. Санкт-Петербург

В. С. Соболев

Санкт-Петербургский государственный университет

Email: a.komolov@spbu.ru
Russian Federation, г. Санкт-Петербург

С. А. Пшеничнюк

Институт физики молекул и кристаллов – обособленное структурное подразделение Уфимского федерального исследовательского центра РАН

Email: a.komolov@spbu.ru
Russian Federation, г. Уфа

Н. Л. Асфандиаров

Институт физики молекул и кристаллов – обособленное структурное подразделение Уфимского федерального исследовательского центра РАН

Email: a.komolov@spbu.ru
Russian Federation, г. Уфа

Е. В. Жижин

Санкт-Петербургский государственный университет

Email: a.komolov@spbu.ru
Russian Federation, г. Санкт-Петербург

Д. А. Пудиков

Санкт-Петербургский государственный университет

Email: a.komolov@spbu.ru
Russian Federation, г. Санкт-Петербург

Е. А. Дубов

Санкт-Петербургский государственный университет

Email: a.komolov@spbu.ru
Russian Federation, г. Санкт-Петербург

И. А. Пронин

Пензенский государственный университет

Email: a.komolov@spbu.ru
Russian Federation, г. Пенза

Ф. Дж. Акбарова

Физико-технический институт АН РУз

Email: a.komolov@spbu.ru
Uzbekistan, г. Ташкент

У. Б. Шаропов

Национальный научно-исследовательский институт возобновляемых источников энергии при Минэнерго РУз

Email: a.komolov@spbu.ru
Uzbekistan, г. Ташкент

References

  1. Krzywiecki M., Smykala S., Kurek J. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2022. V. 24. P. 11828. https://doi.org/10.1039/D2CP00844K
  2. Varghese M.A., Anjali A., Harshini D. et al. // ACS Appl. Electron. Mater. 2021. V. 3. P. 550. https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00931
  3. Алешин А.Н., Щербаков И.П., Трапезникова И.Н. и др. // ФТТ. 2016. Т. 58. С. 1818.
  4. Sosorev A.Y., Nuraliev M.K., Feldman E.V. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2019. V. 21. P. 11578. https://doi.org/10.1039/C9CP00910H
  5. Chen M., Yan L., Zhao Y. et al. // J. Mater. Chem. C. 2018. V. 6. P. 7416. https://doi.org/10.1039/C8TC01865K
  6. Постников В.А., Кулишов А.А., Лясникова М.С. и др. // Кристаллография. 2021. T. 21. C. 494. https://doi.org/10.31857/S0023476121030206
  7. Asfandiarov N.L., Muftakhov M.V., Rakhmeev R.G. et al. // J. Electron Spectrosc. Rel. Phenom. 2022. V. 256. P. 147178. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2022.147178
  8. Komolov A.S., Lazneva E.F., Akhremtchik S.N. // App. Surf. Sci. 2010. V. 256. P. 2419. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.10.078
  9. Krzywiecki M., Grzadziel L., Powroznik P. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2018. V. 20. P. 16092. https://doi.org/10.1039/C8CP01976B
  10. Лазарев В.В., Блинов Л.М., Юдин С.Г. и др. // Кристаллография. 2015. Т. 60. C. 314. https://doi.org/10.7868/S0023476115020162
  11. Dominskii D.I., Kharlanov O.G., Trukhanov V.A. et al. // ACS Appl. Electron. Mater. 2022. V. 4. P. 6345. https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c01481
  12. Komolov A.S., Lazneva E.F., Gerasimova N.B. et al. // J. Electron Spectrosc. Rel. Phenom. 2019. V. 235. P. 40. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2019.07.001
  13. Frankenstein H., Leng C.Z., Losego M.D. et al. // Organic Electron. 2019. V. 64. P. 37. https://doi.org/10.1016/j.orgel.2018.10.002
  14. Pshenichnyuk S.A., Modelli A., Lazneva E.F. et al. // J. Phys. Chem. A. 2014. V. 118. P. 6810. https://doi.org/10.1021/jp505841c
  15. Pshenichnyuk S.A., Modelli A., Lazneva E.F. et al. // J. Phys. Chem. A. 2016. V. 120. P. 2667. https://doi.org/10.1021/acs.jpca.6b02272
  16. Komolov A.S., Moeller P.J., Lazneva E.F. // J. Electron Spectrosc. Rel. Phenom. 2003. V. 131–132. P. 67. https://doi.org/10.1016/S0368-2048(03)00104-X
  17. Sharopov U.B., Kaur K., Kurbanov M.K. et al. // Thin Solid Films. 2021. V. 735. P. 138902. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2021.138902
  18. Pshenichnyuk S.A., Modelli A., Asfandiarov N.L. et al. // J. Chem. Phys. 2019. V. 151. P. 214309. https://doi.org/10.1063/1.5130152
  19. Komolov A.S., Moeller P.J. // Appl. Surf. Sci. 2005. V. 244. P. 573. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.10.122
  20. Комолов С.А., Лазнева Э.Ф., Комолов А.С. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. № 23. С. 13.
  21. Bartos I. // Progr. Surf. Sci. 1998. V. 59. P. 197. https://doi.org/10.1016/S0079-6816(98)00046-X
  22. Komolov A.S., Moeller P.J., Aliaev Y.G. et al. // J. Mol. Struct. 2005. V. 744–747. P. 145. https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2005.01.047
  23. Frisch M.J., Trucks G.W., Schlegel H.B. et al. Gaussian 09, Revision D.01, Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2016.
  24. Burrow P.D., Modelli A. // SAR QSAR Environ. Res. 2013. V. 24. P. 647. https://doi.org/10.1080/1062936X.2013.792873
  25. Scheer A.M., Burrow P.D. // J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. P. 17751. https://doi.org/10.1021/jp0628784
  26. Jungyoon E., Kim S., Lim E. et al. // Appl. Surf. Sci. 2003. V. 205. P. 274. https://doi.org/10.1016/S0169-4332(02)01115-7
  27. Комолов А.С., Лазнева Э.Ф., Герасимова Н.Б. и др. // ФТТ. 2016. Т. 58. С. 367.
  28. Komolov A.S., Lazneva E.F., Gerasimova N.B. et al. // J. Electron Spectrosc. Rel. Phenom. 2015. V. 205. P. 52. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2015.08.002
  29. Hill I.G., Kahn A., Cornil J. et al. // Chem. Phys. Lett. 2000. V. 317. P. 444. https://doi.org/10.1016/S0009-2614(99)01384-6
  30. Hitchcock A.P., Fischer P., Gedanken A. et al. // J. Phys. Chem. 1987. V. 91. P. 531. https://doi.org/10.1021/j100287a009
  31. Chen J.G. // Surf. Sci Rep. 1997. V. 30. P. 1. https://doi.org/10.1016/S0167-5729(97)00011-3
  32. Комолов А.С., Лазнева Э.Ф., Герасимова Н.Б. и др. // ФТТ. 2020. Т. 62. С. 1105. https://doi.org/10.21883/FTT.2020.07.49481.048

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download
2. Fig. 1. The structural formula of dibromo-bianthracene molecules (10.10-dibromo-9.9-bianthracene, DBA).

Download (12KB)
Indexing metadata
3. Fig. 2. AFM image of the surface area 3 = 3 mm2 of the DBA film on the ZnO surface obtained by the MN method. The gradations of gray from black to white correspond to the height difference from 0 to 10 nm. The profile of the surface area on the segment marked with a white horizontal bar is shown below.

Download (36KB)
Indexing metadata
4. Fig. 3. TSSPT in the process of deposition of the DBA film coating on the ZnO surface obtained by the MN method. The corresponding thickness of the organic layer is indicated near each curve. Vertical dotted lines are drawn in the area of maxima D1–D4.

Download (26KB)
Indexing metadata
5. Fig. 4. DOUS of DBBA films based on the results of SPT experiments (a) and based on the results of calculations using DFT methods (b). Calculations were performed using the DFT method at the B3LYP/6–31G(d) level and subsequent correction using SVOE formulas was used. The linear spectrum in the lower part (b) is the energy values of the molecular orbitals established during the calculation of the theoretical DOUS. Vertical dotted lines are drawn for the convenience of comparing the position of the maxima.

Download (24KB)
Indexing metadata

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».