Premelting generation of interstitial defects in polycrystalline indium

E. V. Goncharova; A. S. Makarov; R. A. Konchakov; N. P. Kobelev; V. A. Khonik

doi:10.1134/S0021364017130070

Premelting generation of interstitial defects in polycrystalline indium

Авторлар: Goncharova E.V.¹, Makarov A.S.¹, Konchakov R.A.¹, Kobelev N.P.², Khonik V.A.¹
Мекемелер:
1. Voronezh State Pedagogical University
2. Institute of Solid State Physics
Шығарылым: Том 106, № 1 (2017)
Беттер: 35-39
Бөлім: Condensed Matter
URL: https://journals.rcsi.science/0021-3640/article/view/160419
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017130070
ID: 160419

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

High-precision measurements of the shear modulus of polycrystalline indium from room temperature to the melting temperature T_m and molecular statics computer simulation have been performed. It has been found that interstitial defects are intensely generated near T_m in a dumbbell (split) configuration and their concentration can exceed the concentration of vacancies.