Thermal Conductivity of Silicicated Silicon Carbide at 1400−2200 K
- Авторы: Kostanovskiy A.V.1, Zeodinov M.G.1, Kostanovskaya M.E.1, Pronkin A.A.1
-
Учреждения:
- Joint Institute for High Temperatures
- Выпуск: Том 57, № 1 (2019)
- Страницы: 122-123
- Раздел: Short Communications
- URL: https://journals.rcsi.science/0018-151X/article/view/157906
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0018151X19010152
- ID: 157906
Цитировать
Аннотация
The authors present the results of an experimental study of the thermal conductivity of silicicated silicon carbide within the temperature range of 1400−2200 K.
Об авторах
A. Kostanovskiy
Joint Institute for High Temperatures
Автор, ответственный за переписку.
Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412
M. Zeodinov
Joint Institute for High Temperatures
Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412
M. Kostanovskaya
Joint Institute for High Temperatures
Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412
A. Pronkin
Joint Institute for High Temperatures
Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412
Дополнительные файлы
