Thermal Conductivity of Silicicated Silicon Carbide at 1400−2200 K


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The authors present the results of an experimental study of the thermal conductivity of silicicated silicon carbide within the temperature range of 1400−2200 K.

Об авторах

A. Kostanovskiy

Joint Institute for High Temperatures

Автор, ответственный за переписку.
Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412

M. Zeodinov

Joint Institute for High Temperatures

Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412

M. Kostanovskaya

Joint Institute for High Temperatures

Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412

A. Pronkin

Joint Institute for High Temperatures

Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).