Electrical Resistivity of Silicated Silicon Carbide

Авторы: Kostanovskiy A.V.¹, Zeodinov M.G.¹, Kostanovskaya M.E.¹, Pronkin A.A.¹
Учреждения:
1. Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences
Выпуск: Том 56, № 5 (2018)
Страницы: 824-826
Раздел: Short Communications
URL: https://journals.rcsi.science/0018-151X/article/view/157832
DOI: https://doi.org/10.1134/S0018151X18050152
ID: 157832

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

We present the results of an experiment on the electrical resistivity of silicated silicon carbide within a temperature range of 1200–2200 K.

Electrical Resistivity, Free Silicon Content, Internal Cylinder Surface, Hollow Cylinder Specimens, Tungsten Wire Loop

Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412

Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences

Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412

Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences

Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412

Joint Institute for High Temperatures, Russian Academy of Sciences

Email: Kostanovskiy@gmail.com
Россия, Moscow, 125412

Доп. файлы

Действие

1. JATS XML