Characterization of CdTe and CdS Films for Photoresistors

T. M. Razykov; A. Bosio; N. Romeo; B. A. Ergashev; A. A. Mavlonov; A. Yu. Usmonov; Sh. A. Esanov

doi:10.3103/S0003701X19010110

Characterization of CdTe and CdS Films for Photoresistors

Авторлар: Razykov T.M.¹, Bosio A.², Romeo N.², Ergashev B.A.¹, Mavlonov A.A.¹, Usmonov A.Y.¹, Esanov S.A.¹
Мекемелер:
1. Physical-Technical Insitute of SPA Physics-Sun, Uzbekistan Academy of Sciences
2. University of Parma
Шығарылым: Том 55, № 1 (2019)
Беттер: 1-4
Бөлім: Direct Conversion of Solar Energy Into Electrical Energy
URL: https://journals.rcsi.science/0003-701X/article/view/149582
DOI: https://doi.org/10.3103/S0003701X19010110
ID: 149582

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Dependences of the evaporation temperature and the growth rate on minimal condensation temperature of polycrystalline CdS films in chemical molecular-beam deposition are discussed. The effect of the evaporation rate and the substrate temperature on the morphology of films has been studied.