Особенности роста кристаллов Cd3As2 методом вертикального парогазового транспорта и их свойства
- Authors: Нечушкин Ю.Б.1,2, Риль А.И.2, Овешников Л.Н.3, Давыдов А.Б.3, Васильев М.Г.2, Маренкин С.Ф.2
-
Affiliations:
- Национальный исследовательский технологический университет “МИСИС”
- Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук
- Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук
- Issue: Vol 60, No 9-10 (2024)
- Pages: 1082-1092
- Section: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0002-337X/article/view/291639
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0002337X24090026
- EDN: https://elibrary.ru/LMMTSU
- ID: 291639
Cite item
Abstract
Методом химических транспортных реакций с использованием вертикального варианта массопереноса выращены игольчатые, ограненные пластинчатые и рекордные по массе (до 25 г) и размерам объемные кристаллы Cd3As2. Расчеты массопереноса и скоростей роста на основе данных по парциальным давлениям паров Cd и As4 использовались для оптимизации эксперимента. Качество кристаллов контролировали с помощью рентгеновского анализа. На монокристаллах выполнены комплексные исследования магнитотранспортных свойств в диапазоне температур 80–300 К и в магнитных полях до 1 Тл. Показано, что синтезированные кристаллы Cd3As2 характеризуются металлическим характером температурной зависимости сопротивления и выраженным линейным вкладом в магнетосопротивление, амплитуда которого достигает 135%/Тл при Т = 80 К. При этом концентрация носителей заряда, определенная из эффекта Холла, оказалась заметно ниже типичных значений для поликристаллов Cd3As2. Линейный характер зависимости сопротивления от магнитного поля и значительная величина амплитуды данного эффекта представляют практический интерес для использования кристаллов Cd3As2 в качестве материалов магнитных сенсоров.
Full Text

About the authors
Ю. Б. Нечушкин
Национальный исследовательский технологический университет “МИСИС”; Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук
Author for correspondence.
Email: u.nechushkin@mail.ru
Scopus Author ID: u.nechushkin@mail.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 4, Москва, 119049; Ленинский пр., 31, Москва, 119991
А. И. Риль
Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук
Email: u.nechushkin@mail.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 31, Москва, 119991
Л. Н. Овешников
Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук
Email: u.nechushkin@mail.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 53, Москва, 119991
А. Б. Давыдов
Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук
Email: u.nechushkin@mail.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 53, Москва, 119991
М. Г. Васильев
Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук
Email: u.nechushkin@mail.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 31, Москва, 119991
С. Ф. Маренкин
Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук
Email: u.nechushkin@mail.ru
Russian Federation, Ленинский пр., 31, Москва, 119991
References
- Ril’ A.I., Marenkin S.F. Cadmium Arsenides: Structure, Synthesis of Bulk and Film Crystals, Magnetic and Electrical Properties (Review) // Russ. J. Inorg. Chem. 2021. V. 66. № 14. P. 2005–2016. https://doi.org/10.1134/S0036023621140059
- Turner W., Fischer A., Reese W. Physical Properties of Several II–V Semiconductors // Phys. Rev. 1961. V. 121. № 3. P. 759–767. https://doi.org/10.1103/PhysRev.121.759
- Sreedhar A. Electrical Properties of the Solid Solution System Cd3As2+Zn3As2 // IETE J. Res. 2015. P. 268–270. https://doi.org/10.1080/03772063.1963.11486457
- Yu W., Rademacher D., Valdez N., Rodriguez M., Nenoff T., Pan W. Evidence of decoupling of surface and bulk states in Dirac semimetal Cd3As2 // Nanotechnology. 2022. V. 33. № 41. P. 415002. https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac7c25
- Шелкачев Н.М., Яржемский В.Г. Влияние кристаллической структуры и примесей 3d-элементов на электронное строение топологического материала Cd3As2 // Неорган. материалы. 2018. Т. 54. № 11. С. 1157–1162. https://doi.org/10.1134/S0002337X18110118
- Wang Z., Weng H., Wu Q., Dai X., Fang Z. Three-dimensional Dirac semimetal and quantum transport in Cd3As2 // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. P. 125427. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.125427
- Yi H., Wang Z., Chen C., Shi Y., Feng Y., Liang A., Xie Z., He S., He J., Peng Y., Liu X., Liu Y., Zhao L., Liu G., Dong X., Zhang J., Nakatake M., Arita M., Shimada K., Namatame H., Taniguchi M., Xu Z., Chen C., Dai X., Fang Z., Zhou X. Evidence of Topological Surface State in Three-Dimensional Dirac Semimetal Cd3As2 // Sci. Rep. 2014. V. 4. P. 6106. https://doi.org/10.1038/srep06106
- Crassee I., Sankar R., Lee W., Akrap A., Orlita M. 3D Dirac semimetal Cd3As2: A review of material properties // Phys. Rev. Mater. 2018. V. 2. № 12. P. 120302. https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.2.120302
- Liang T., Gibson Q., Ali M., Liu M., Cava R., Ong N. Ultrahigh mobility and giant magnetoresistance in the Dirac semimetal Cd3As2 // Nat. Mater. 2014. V. 14. № 3. P. 280–284. https://doi.org/10.1038/nmat4143
- Oveshnikov L.N., Davydov A.B., Suslov A.V., Ril A.I., Marenkin S.F., Vasiliev A.L., Aronzon B.A. Superconductivity and Shubnikov– de Haas effect in polycrystalline Cd3As2 thin films // Sci. Rep. 2020. V. 10. № 1. P. 4601. https://doi.org/10.1038/s41598-020-61376-6
- Saypulaeva L.A., Gadzhialiev M.M., Alibekov A.G., Melnikova N.V., Zakhvalinskii V.S., Ril’ A.I., Marenkin S.F., Efendieva T.N., Fedorchenko I.V., Mollaev A.Yu. Effect of Hydrostatic Pressures of up to 9 GPa on the Galvanomagnetic Properties of Cd3As2–MnAs (20 mol% MnAs) Alloy in a Transverse Magnetic Field // Inorg. Mater. 2019. V. 55. P. 873–878. https://doi.org/10.1134/S0020168519090152
- Kochura A.V., Zakhvalinskii V.S., Htet A.Z., Ril’ A.I., Pilyuk E.A., Kuz’menko A.P., Aronzon B.A., Marenkin S.F. Growth of Thin Cadmium Arsenide Films by Magnetron Sputtering and Their Structure // Inorg. Mater. 2019. V. 55. P. 879–886. https://doi.org/10.1134/S002016851909005X
- Shoron O.F., Kealhofer D.A., Goyal M., Schumann T., Burkov A.A., Stemmer S. Detecting topological phase transitions in cadmium arsenide films via the transverse magnetoresistance // Appl. Phys. Lett. 2021. V. 119. P. 171907. https://doi.org/10.1063/5.0066252
- Kulatov E., Uspenskii Y., Oveshnikov L., Mekhiya A., Davydov A., Ril A., Marenkin S., Aronzon B. Electronic, magnetic and magnetotransport properties of Mn-doped Dirac semimetal Cd3As2 // Acta Mater. 2021. V. 219. P. 117249. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2021.117249
- Conte A.M. Electronic and optical properties of topological semimetal Cd3As2 // Sci. Rep. 2017. V. 7. P. 45500. https://doi.org/10.1038/srep45500
- Zhou R., Ullah K., Hussain N., Fadhali M.M., Yang S., Lin Q., Zubair M., Iqbal M.F. Recent advances in photonics of three-dimensional Dirac semimetal Cd3As2 // Adv. Photonics Nexus. 2022. V. 1. P. 024001. https://doi.org/10.1117/1.APN.1.2.024001
- Lovett D. The growth and electrical properties of single crystal Cd3As2 platelets // J. Mater. Sci. 1972. V. 7. P. 388–392. https://doi.org/10.1007/BF00553761
- Feng J., Pang Y., Wu D., Wang Z., Weng H., Li J., Dai X., Fang Z., Shi Y., Lu L. Large linear magnetoresistance in Dirac semimetal Cd3As2 with Fermi surfaces close to the Dirac points // Phys. Rev. B: Condens. Matter. 2015. V. 92. № 8. P. 081306(R). https://doi.org/10.1103/physrevb.92.081306
- Маренкин С.Ф., Трухан В.М. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Минск: Вараскин А.Н., 2010. 224 с.
- Sierański K., Szatkowski J., Misiewicz J. Semiempirical tight-binding band structure of II3V2 // Phys. Rev. B: Condens. Matter. 1994. V. 50. № 11. P. 7331–7337. https://doi.org/10.1103/physrevb.50.7331
- Sexer N. Sur quelques propriétés de Cd3As2 // J. Phys. Radium. 1961. V. 22. № 12. P. 807–810. https://doi.org/10.1051/jphysrad:0196100220 12080700
- Rosenman I. Effet Shubnikov de Haas dans Cd3As2: Forme de la surface de Fermi et modèle non parabolique de la bande de conduction // J. Phys. Chem. Solids. 1969. V. 30. № 6. P. 1385–1402. https://doi.org/10.1016/0022-3697(69)90200-5
- Kochura A.V., Oveshnikov L.N., Kuzmenko A.P., Davydov A.B., Gavrilkin S.Yu., Zakhvalinskii V.S., Kulbachinskii V.A., Khokhlov N.A., Aronzon B.A. Vapor-Phase Synthesis and Magnetoresistance of (Cd0.993Zn0.007)3As2 Single Crystals // JETP Lett. 2019. V. 109. № 3. P. 175–179. https://doi.org/10.1134/S0021364019030019
- Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х., Соболев В.В. Полупроводниковые соединения группы AIIBV. М.: Наука, 1978. 256 с.
- Arushanov E.K. Crystal Growth and Characterization of II3V2 Compounds // Prog. Cryst. Growth Charact. 1981. V. 3. P. 211–255. https://doi.org/10.1016/0146-3535(80)90020-9
- Ril’ A.I., Marenkin S.F. Physicochemical Foundations of Modern Materials Science of Cadmium Arsenides (Review) // Russ. J. Inorg. Chem. 2022. V. 67. P. 2113–2126. https://doi.org/10.1134/S0036023622601684
- Silvey G., Lyons V., Silvestri V. The preparation and properties of some II–V semiconducting compounds // J. Electrochem. Soc. 1961. V. 108. № 7. P. 653–658. https://doi.org/10.1149/1.2428183
- Jayaraman A., Anantharaman T., Klement W. Melting and polymorphism of Zn3As2 and Cd3As2 at high pressures // J. Phys. Chem. Solids. 1966. V. 27. № 10. P. 1605–1609. https://doi.org/10.1016/0022-3697(66)90239-3
- Sankar R., Neupane M., Xu S., Butler C., Zeljkovic I., Muthuselvam I., Huang F., Guo S., Karna S., Chu M., Lee W., Lin M., Jayavel R., Madhavan V., Hasan M., Chou F. Large single crystal growth, transport property and spectroscopic characterizations of three-dimensional Dirac semimetal Cd3As2 // Sci. Rep. 2015. V. 5. № 1. P. 12966. https://doi.org/10.1038/srep12966
- Калевич Е.С., Маренкин С.Ф., Пономарев В.Ф., Шевченко В.Я. Термическая диссоциация Cd3As2 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1978. Т. 14. № 11. С. 1983–1985.
- Hrubý A., Petrová J. Preparation of Cd3As2 and CdAs2 crystals by transport reaction in vapour phase // Czech. J. Phys. 1971. V. 21. P. 890–895. https://doi.org/10.1007/BF01725133
- Kloc K., Żdanowicz W. Growth and morphology of Zn3P2, Cd3P2 and Cd3As2 crystals // J. Cryst. Growth. 1984. V. 66. № 2. P. 451–458. https://doi.org/10.1016/0022-0248(84)90229-x
- Oveshnikov L.N., Ril’ A.I., Mekhiya A.B., Davydov A.B., Marenkin S.F., Aronzon B.A. Low-field linear magnetoresistance and transport parameters of (Cd1–xMnx)3As2 polycrystals // Eur. Phys. J. Plus. 2022. V. 137. P. 374. https://doi.org/10.1140/epjp/s13360-022-02560-7
- Oveshnikov L.N., Granovsky A.B., Davydov A.B., Bogach A.V., Kharlamova A.M., Ril’ A.I., Aronzon B.A. Magnetic and magnetotransport properties of MnSb polycrystals near equatomic composition // J. Magn. Magn. Mater. 2022. V. 563. P. 169873. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2022.169873
- Oveshnikov L.N., Granovsky A.B., Jaloliddinzoda M., Morgun L.A., Davydov A.B., Gan’shina E.A., Perova N.N., Vasiliev A.L., Ovcharov A.V., Kharlamova A.M., Nekhaeva E.I., Ril’ A.I., Pripechenkov I.M., Kanazakova E.S., Marenkin S.F., Aronzon B.A. Characterization of the quenched GaSb–MnSb composites with high fraction of the ferromagnetic component // J. Magn. Magn. Mater. 2023. V. 565. P. 170242. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2022.170242
- Narayanan A., Watson M., Blake S., Bruyant N., Drigo L., Chen Y., Prabhakaran D., Yan B., Felser C., Kong T., Canfield P., Coldea A. Linear magnetoresistance caused by mobility fluctuations in n-doped Cd3As2 // Phys. Rev. Lett. 2015. V. 114. P. 117201. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.117201
- Singh S., Gopal R., Sarkar J., Pandey A., Patel B., Mitra C. Linear magnetoresistance and surface to bulk coupling in topological insulator thin films // J. Phys.: Condens. Matter. 2017. V. 29. № 50. P. 505601. https://doi.org/10.1088/1361-648X/aa97ba
- Zhang H., Li H., Wang H., Cheng G., He H., Wang J. Linear positive and negative magnetoresistance in topological insulator Bi2Se3 flakes // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 113. № 11. P. 113503. https://doi.org/10.1063/1.5044686
- Parish M., Littlewood P. Non-saturating magnetoresistance in heavily disordered semiconductors // Nature. 2003. V. 426. P. 162–165. https://doi.org/10.1038/nature02073
- Parish M., Littlewood P. Classical magnetotransport of inhomogeneous conductors // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. P. 094417. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.72.094417
- Abrikosov A.A. Quantum magnetoresistance // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 2788–2794. https://doi.org/10.1103/physrevb.58.2788
- Abrikosov A.A. Quantum linear magnetoresistance // Europhys. Lett. 2000. V. 49. P. 789–793. https://doi.org/10.1209/epl/i2000-00220-2
- Kapitza P. The change of electrical conductivity in strong magnetic fields. Part I. – Experimental results // Proc. R. Soc. A, Math., Phys. Eng. Sci. 1929. V. 123. P. 292–341. https://doi.org/10.1098/rspa.1929.0072
- Kapitza P. The change of electrical conductivity in strong magnetic fields. Part II. – the analysis and the interpretation of the experimental results // Proc. R. Soc. A, Math., Phys. Eng. Sci. 1929. V. 123. P. 342–372. https://doi.org/10.1098/rspa.1929.0073
- Xiao D., Chang M., Niu Q. Berry phase effects on electronic properties // Rev. Mod. Phys. 2010. V. 82. P. 1959–2007. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.82.1959
- Nandi D., Skinner B., Lee G., Huang K., Shain K., Chang C., Ou Y., Lee S., Ward J., Moodera J., Kim P., Halperin B., Yacoby A. Signatures of long-range-correlated disorder in the magnetotransport of ultrathin topological insulators // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. P. 214203. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.214203
- Morocho A., Pilyuk E., Zakhvalinskii V., Nikulicheva T., Yapryntsev M., Novikov V. AC conductivity of amorphous and polycrystalline Cd3As2 films on single crystal substrates of Al2O3 // Phys. B. 2022. V. 638. P. 413927. https://doi.org/10.1016/j.physb.2022.413927
Supplementary files
