Эффект электрического поля при кристаллизации аморфных пленок TlIn1–xSnxSe2
- Авторлар: Алекперов Э.1, Джабаров С.1, Дарзиева Т.1, Ибрагимов Г.2, Назаров А.2, Фарзалиев С.2
-
Мекемелер:
- Бакинский государственный университет
- Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана
- Шығарылым: Том 59, № 1 (2023)
- Беттер: 10-13
- Бөлім: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0002-337X/article/view/140110
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0002337X23010025
- EDN: https://elibrary.ru/OORRYQ
- ID: 140110
Дәйексөз келтіру
Аннотация
Кинетика кристаллизации аморфных пленок TlIn1–хSnxSе2 толщиной 30 нм, полученных в высоком вакууме термическим осаждением, в постоянном электрическом поле напряженностью Е = 3000 В/см, исследовалась методом кинематической электронографии. Показано, что формирование кристаллической структуры при термообработке аморфных пленок происходит по закономерностям, установленным Авраами–Колмогоровым. По кинетическим кривым фазового превращения прослеживается влияние электрического поля на увеличение диапазона температур кристаллизации пленок, а также на значения энергий активации зародышеобразования и дальнейшего роста кристаллов. Величина суммарной энергии активации процесса кристаллизации оказалась равной Еобщ = 44.92 ккал/моль. Дифракционные линии от поликристаллической пленки TlIn0.93Sn0.07Sе2 на кинематической электронограмме индицируются на основе параметров тетрагональной ячейки а = b = 0.8358, с = 0.7086 нм, соответствующих пр. гр. \(D_{{4h}}^{{18}}\)–I4/mcm. При нахождении пленок в вакууме при комнатной температуре более двух месяцев не обнаружено изменений ни в их качестве, ни в дифракционной картине.
Негізгі сөздер
Авторлар туралы
Э. Алекперов
Бакинский государственный университет
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1148, Баку, ул. З. Халилова, 23
С. Джабаров
Бакинский государственный университет
Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1148, Баку, ул. З. Халилова, 23
Т. Дарзиева
Бакинский государственный университет
Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1148, Баку, ул. З. Халилова, 23
Г. Ибрагимов
Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева Национальной академиинаук Азербайджана
Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1143, Баку, пр. Г. Джавида, 131
А. Назаров
Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева Национальной академиинаук Азербайджана
Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1143, Баку, пр. Г. Джавида, 131
С. Фарзалиев
Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева Национальной академиинаук Азербайджана
Email: alekperoveldar@mail.ru
Азербайджан, AZ1143, Баку, пр. Г. Джавида, 131
Әдебиет тізімі
- Nowosielski R., Zajdel A., Lesz S., Kostrubiec B., Stokłosa Z. Crystallization of Amorphous Co77Si11.5B11.5Alloy // Arch. Mater. Sci. Eng. 2007. V. 28. № 3. P. 141–148.
- Пашаев А.М., Джафаров Т.Д. Физические основы наноэлектроники. Баку. 2014. 88 с.
- Kavetskyy T.S., Shpotyuk O.I., Boyko V.T. Void-species Nanostructure of Chalcogenide Glasses Studied with FSDP-related XRD // J. Phys. Chem. Solids. 2007. V. 68. № 5–6. P. 712–715.
- Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. М.: Физматкнига, 2012. 363 с.
- Sanghera J.S., Florea C.M., Shaw L.B., Pureza P. et al. Non-Linear Properties of Chalcogenide Glasses and Fibers// J. Non-Cryst. Solids. 2008. V. 354. № 2–9. P. 462–467.
- Kovanda V., Mir Vicek, Jain H. Stmcture of As–Se and As–P–Se Glasses Studied by Raman Spectroscopy // J. Non-Cryst. Solids. 2003. V. 326–327. P. 88–92.
- Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Алиева Н.А., Гусейнов Э.К. и др. Проводимость по локализованным состояниям системы твердых растворов (TlInSe2)1–x(TlGaTe2)x // ФТП. 2015. Т. 49. B. № 12. С. 1704–1709.
- Ismailov D.I., Aliyeva M.F., Alekperov E.Sh., Aliyev F.I. Electron Diffraction Investigation of Structural Diversity of Amorphous Films of Polymorphic TlInS2 // Semiconductors. 2003. V. 37. P. 744–747.
- Авилов А.С. Прецизионная электронография: Дис. ... докт. физ.-мат. наук: 01.04.18. М., 1999. 274 с.
- Кулыгин А.К., Кулыгин К.В., Авилов А.С. Новые подходы к прецизионным измерениям дифракционных картин в электронографии // Кристаллография. 2020. Т. 65. № 2. С. 325–334. https://doi.org/10.31857/S0023476120020149
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 431 с.
- Panaxov M.M., Alekperov E.Sh., Qarayev E.S., Sadraddinov S.A. et al. Phase Transition at Thermal Treatment of TlIn1–xSnxSe2 Amorphous Films // AIP Fizika. 2020. V. 26. № 4. P. 28–31.
- Чопра К. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1992. 435 с.