Сверхтонкие высокоэффективные солнечные элементы на гетероструктурах AIIIBV/Ge для космического применения

Проведен анализ перспектив создания сверхтонких, легких и высокоэффективных солнечных элементов на гетероструктурах  A^IIIB^V/Ge. Обсуждаются технологические проблемы и перспективы различных вариантов. В качестве наиболее перспективного метода предлагается использовать химическое утонение гетероструктур  A^IIIB^V/Ge с применением временного технологического носителя. Выращенный на германиевой подложке солнечный элемент с контактной сеткой, просветляющим покрытием и защитным от радиации стеклом, но без тыльного металлического контакта, приклеивается лицевой стороной на технологический носитель. Далее Ge-подложка травится до нужной толщины и создается тыльный контакт, а носитель удаляется нагреванием. Данная методика позволяет утонять Ge-подложку до нескольких десятков микрон и существенно увеличить процент выхода годных приборов практически без риска разрушить герероструктуру. Измерение вольтамперных характеристик утоненного солнечного элемента показали, что для наземного спектра значения параметров утоненного образца совпадают с исходными значениями. Напряжение холостого хода составляет 2,67 В, плотность тока 14 мА/см². Это открывает возможность создания высокоэффективных тонких и легких солнечных элементов для космических батарей на основе массово производимых в настоящее время гетероструктур - A^IIIB^V/Ge.