ВЛИЯНИЕ СВОБОДНОЙ ВАЛЕНТНОСТИ НА ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ РАДИКАЛОВ Н-СПИРТОВ

В работе представлены результаты исследования влияния свободной валентности (при отрыве атома водорода) на электронное строение радикалов н-спиртов на примере радикалов производных н-гептанола ( C●H 2 -(CH 2 ) 6 OH, CH 3 -C●H-(CH 2 ) 5 OH, C 2 H 5 -C●H-(CH 2 ) 4 OH, C 3 H 7 -C●H-(CH 2 ) 3 OH, C 4 H 9 -C●H-(CH 2 ) 2 OH, C 5 H 11 -C●H-CH 2 OH, C 6 H 13 -C●H-OH, C 7 H 15 -O● ). Оптимизация геометрии и нахождение распределения электронной плотности в указанных соединениях получено методом функционала плотности B3LYP/6-311++G(3df,3pd) 6d 10f. Электронное строение выбранных молекул и радикалов исследовано в рамках «квантовой теории атомов в молекуле» (QTAIM): вычислены электронные параметры атомов и атомных групп, изучено распределение спиновой плотности, количественно охарактеризованы понятия «радикальный центр» и «свободная валентность». Рассмотрены индуктивный эффект и переносимость атомных групп, составлена качественная шкала групповых электроотрицательностей. Проведено сравнение возмущающего действия различных атомных групп, в том числе содержащих свободную валентность, на углеводородную цепь, посредством сравнения интегральных параметров групп, входящих в состав исследуемых соединений, с параметрами «стандартных» групп.

квантовая теория атомов в молекуле, электронная плотность, электроотрицательность, индуктивный эффект, спиновая плотность, свободная валентность, радикальный центр