К вопросу тепловой устойчивости систем металлизации и контактов ультрабольших интегральных схем

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Работа посвящена разработке метода диагностики тепловых перегрузок систем металлизации ультрабольших интегральных схем. Рассматриваемые системы металлизации толщиной 0.5 мкм с подслоями толщиной 0.1 мкм (ширина Al-пленки составляла 7–70 мкм) подвергались воздействию одиночных прямоугольных импульсов тока длительностью не более 600 мкс и амплитудой до 8·1010 А/м2. По экспериментальным осциллограммам проведено моделирование температурных полей, проанализированы процессы плавления в многослойных тонкопленочных системах. Обнаружено, что при воздействии одиночного прямоугольного импульса тока длительностью, не превышающей 80 мкс, и энергией 85 мДж приоритетным процессом разрушения структуры являются процессы оплавления металлической пленки. Увеличение длительности импульсов (τ>80 мкс) меняет приоритет тепловой деградации, и основным механизмом становится контактное плавление. Показано, что наличие подслоев титана и оксида кремния увеличивает тепловую «нагрузку» на слои металлизации и может привести к снижению величины критической плотности тока. На примере системы Al–Ti–Si выявлено, что изотермический отжиг приводит к улучшению теплопроводящих свойств системы и увеличению критических плотностей тока.

Об авторах

Марина Валерьевна Корячко

Московский политехнический университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: m.v.koryachko@gmail.com
Россия, 107023, Россия, Москва, ул. Семеновская, 38В

Владимир Константинович Николаев

Московский политехнический университет

Email: nvk64@list.ru
Россия, 107023, Россия, Москва, ул. Семеновская, 38В

Данила Евгеньевич Пшонкин

Московский политехнический университет

Email: cryo140401@gmail.com
Россия, 107023, Россия, Москва, ул. Семеновская, 38В

Аркадий Алексеевич Скворцов

Московский политехнический университет

Email: skvortsovaa2009@yandex.ru
Россия, 107023, Россия, Москва, ул. Семеновская, 38В

Список литературы

  1. A.W. Topol, D.C. La Tulipe, Jr.L Shi, D.J. Frank, K. Bernstein, S.E. Steen, A. Kumar, G.U. Singco, A.M. Young, K.W. Guarini, M. Ieong IBM J. Res. & Dev., 2006, 50(4.5), 491. doi: 10.1147/rd.504.0491.
  2. H. Okabe, M. Yoshida, T. Tominaga, J. Fujita, K. Endo, Y. Yokoyama, K. Nishikawa, Y. Toyoda, S. Yamakawa Materials Science Forum, 2014, 778, 955. doi: 10.4028/ href='www.scientific.net/MSF.778-780.955' target='_blank'>www.scientific.net/MSF.778-780.955.
  3. C. Zhang, S. Liu, S. Li, Y. Zhu, L. Ni IEEE Trans. Power Electron., 2022, 37(5), 6009. doi: 10.1109/TPEL.2021.3125428.
  4. D. Martineau, C. Levade, M. Legros, P. Dupuy, T. Mazeaud Microelectron. Reliab., 2014, 54(11), 2432. doi: 10.1016/j.microrel.2014.06.010.
  5. W. Macherzyński, A. Stafiniak, B. Paszkiewicz, J. Gryglewicz, R. Paszkiewicz Phys. Status Solidi, 2016, 213(5), 1145. doi: 10.1002/pssa.201532684.
  6. T.J. Garosshen, T.A. Stephenson, T.P. Slavin JOM, 1985, 37(5), 55. doi: 10.1007/BF03257742.
  7. S.M. Ahmad, Ch.S. Leong, R.W. Winder, K. Sopian, S.H. Zaidi J. Electron. Mater., 2019, 48(10), 6382. doi: 10.1007/s11664-019-07409-x.
  8. T.K. Gupta Microelectron. Reliab., 1979, 19(4), 337. doi: 10.1016/0026-2714(79)90150-1.
  9. M. Brincker, K.B. Pedersen, P.K Kristensen, V.N. Popok Microelectron. Reliab., 2015, 55(9–10), 1988. doi: 10.1016/j.microrel.2015.06.005.
  10. L. Fangwei, L. Pingan, Q. Hui, L. Junpeng, S. Ruochen, W. Wenchao Comput. Mater. Sci., 2019, 170, 109142. doi: 10.1016/j.commatsci.2019.109142.
  11. A.V. Pervikov, M.I. Lerner, O.V. Bakina, A.S. Lozhkomoev, E.A. Glazkova Inorg. Mater.: Appl. Research, 2019, 10(3), 699. doi: 10.1134/S2075113319030328.
  12. Y.S. Kwona, V.V. An, A.P. Ilyin, D.V. Tikhonov Mater. Lett., 2007, 61(14-15), 3247. doi: 10.1016/j.matlet.2006.11.047.
  13. P. Chucai, W. Jinxiang, Zh. Nan, S. Guilei Curr. Appl. Phys., 2016, 16(3), 284. doi: 10.1016/j.cap.2015.12.009.
  14. M. Nelhiebel, R. Illing, Th. Detzel, S. Wöhlert, B. Auer, S. Lanzerstorfer, M. Rogalli, W. Robl, S. Decker, J. Fugger, M. Ladurner Microelectron. Reliab., 2013, 53(9-11), 1745. doi: 10.1016/j.microrel.2013.07.123.
  15. Э.С. Гринац, В.А. Жбанов, А.В. Кашеваров, А.Б. Миллер, Ю.Ф. Потапов, А.Л. Стасенко ТВТ, 2019, 57(2), 246. doi: 10.1134/S0040364419020054.
  16. L. Hao, X. Xiao, X. Lin-sheng, W. Hua-lin, S. Gai-nai, Y. Qiang Chem. Eng. Sci., 2019, 195, 720. doi: 10.1016/j.ces.2018.10.017.
  17. A. Diligenti, P.E. Bagnoli, B. Neri, S. Bea, L. Mantellassi Solid-State Electron., 1989, 32(1), 11. doi: 10.1016/0038-1101(89)90042-7.
  18. A.A. Skvortsov, S.M. Zuev, M.V. Koryachko, V.V. Glinskiy Microelectron. Int., 2016, 33(2), 102. doi: 10.1108/MI-05-2015-0049.
  19. A.A. Skvortsov, M.V. Koryachko, S.I. Kuleshova, M.R. Rybakova J. Appl. Phys., 2022, 131(8), 083901. doi: 10.1063/5.0084330.
  20. A. Skvortsov, M. Koryachko, O. Sklemina, M. Rybakova Appl. Phys. A: Mater. Scien. & Process., 2022, 128(3), 242. doi: 10.1007/s00339-022-05398-z.
  21. А.А. Скворцов, С.М. Зуев, М.В. Корячко, Е.Б. Волошинов Технология металлов, 2019, 11, 41. doi: 10.31044/1684-2499-2019-11-0-41-46.
  22. A.A. Skvortsov, S.M. Zuev, M.V. Koryachko, A.A. Skvortsova Periodico Tche Quimica, 2019, 16(33), 448. doi: 10.52571/PTQ.v16.n33.2019.463_Periodico33_pgs_448_456.pdf.
  23. A.A. Skvortsov, M.V. Koryachko, S.M. Zuev, M.R. Rybakova Periodico Tche Quimica, 2020, 17(34), 335. doi: 10.52571/PTQ.v17.n34.2020.352_P34_pgs_335_342.pdf.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Корячко М.В., Николаев В.К., Пшонкин Д.Е., Скворцов А.А., 2023

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).