Journal of Russian Laser Research
ISSN 1071-2836 (Print)
ISSN 1573-8760 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Анықтамалық материалдар
Платформаны пайдалану бойынша нұсқаулық
RAS журналдарына арналған келісімге қол қою бойынша нұсқаулық
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Mandel parameter
coherent states
density matrix
entanglement
laser
laser ablation
laser cooling
linear entropy
negativity
nonlinear optics
nonlinear propagation
photoluminescence
photonic crystal
probability representation
quantum correlations
quantum discord
quantum suprematism
spatial nonlocality
spectrum
stimulated scattering
superposition principle
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Mandel parameter
coherent states
density matrix
entanglement
laser
laser ablation
laser cooling
linear entropy
negativity
nonlinear optics
nonlinear propagation
photoluminescence
photonic crystal
probability representation
quantum correlations
quantum discord
quantum suprematism
spatial nonlocality
spectrum
stimulated scattering
superposition principle
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Novikov, A. V.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 39, № 1 (2018)
Article
Visible Luminescence of SiGe/Si Quantum Wells Under an External Anisotropic Deformation
Том 39, № 1 (2018)
Article
Strain-Induced Intrinsic Splitting of the Biexciton Ground State in SiGe/Si Quantum Wells
TOP