Electrical and Photoelectrical Characteristics of  с -Si/Porous–Si/CdS Heterojunctions

H. M. Mamedov; A. Kukevecz; Z. Konya; K. Kordas; S. I. Shah; V. U. Mamedov; Kh. M. Ahmedova; V. J. Mamedova; R. M. Rzaev; Sh. A. Shamilova; E. A. Khanmamedova; L. E. Agazade

doi:10.1007/s11182-018-1584-2

Electrical and Photoelectrical Characteristics of с-Si/Porous–Si/CdS Heterojunctions

Авторы: Mamedov H.M.¹, Kukevecz A.², Konya Z.², Kordas K.³, Shah S.I.⁴, Mamedov V.U.¹, Ahmedova K.M.¹, Mamedova V.J.¹, Rzaev R.M.⁵, Shamilova S.A.¹, Khanmamedova E.A.¹, Agazade L.E.¹
Учреждения:
1. Baku State University
2. University of Szeged
3. University of Oulu
4. University of Delaware
5. Azerbaijan State University of Economics
Выпуск: Том 61, № 9 (2019)
Страницы: 1660-1666
Раздел: Physics of Semiconductors and Dielectrics
URL: https://journals.rcsi.science/1064-8887/article/view/240975
DOI: https://doi.org/10.1007/s11182-018-1584-2
ID: 240975

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Depending on the sizes of the CdS crystallites and silicon pores, electrical and photoelectrical characteristics of c-Si/porous–Si/CdS heterojunctions prepared by electrochemical deposition and anodization, respectively, are studied. The optimal pore size (10–16 nm) is determined, which provides the maximum photoelectric conversion efficiency (7.71%) of heterojunctions.