Spectral Shift of Quantum-Cascade Laser Emission under the Action of Control Voltage


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Spectral redistribution of the intensity of short- and long-wavelength emission components within gain bandwidth of a 7- to 8-μm quantum-cascade laser under the action of control voltage is demonstrated. As the voltage was increased from 10.5 to 18.2 V, the wavelength of maximum laser emission intensity shifted by approximately 200 nm. The maximum bandwidth of laser gain was about 300 nm (at a temperature of 80 K). The quantum-cascade laser heterostructure was grown by molecular beam epitaxy. The laser active region design was based on double-phonon depopulation of the lower level as implemented on In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heteropair of solid alloys lattice-matched with an InP substrate.

Об авторах

A. Babichev

ITMO University

Автор, ответственный за переписку.
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 197101

D. Pashnev

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 195251

A. Gladyshev

ITMO University

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 197101

A. Kurochkin

ITMO University

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 197101

E. Kolodeznyi

ITMO University

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 197101

L. Karachinsky

ITMO University; Connector Optics LLC; Ioffe Institute

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 197101; St. Petersburg, 194292; St. Petersburg, 194021

I. Novikov

ITMO University; Connector Optics LLC; Ioffe Institute

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 197101; St. Petersburg, 194292; St. Petersburg, 194021

D. Denisov

St. Petersburg Electrotechnical University “LETI”

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 197022

L. Boulley

Center of Nanoscience and Nanotechnology (C2N), UMR9001 CNRS, Université Paris Sud

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Франция, Université Paris Saclay

D. Firsov

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 195251

L. Vorobjev

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 195251

N. Pikhtin

Ioffe Institute

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

A. Bousseksou

Center of Nanoscience and Nanotechnology (C2N), UMR9001 CNRS, Université Paris Sud

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Франция, Université Paris Saclay

A. Egorov

ITMO University

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 197101

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).