Diode Structures Based on (In, Fe)Sb/GaAs Magnetic Heterojunctions


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The current–voltage characteristics of light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs heterostructures with an injector made of (In, Fe)Sb diluted magnetic semiconductor are studied. The current–voltage characteristics of the (In, Fe)Sb/n-GaAs and (In, Fe)Sb/p-GaAs structures are analyzed. The band diagrams of heterojunctions are constructed. It is shown that the investigated structures have the same current transfer mechanism as in the structures with a Schottky barrier.

Об авторах

M. Ved’

Nizhny Novgorod Research Physicotechnical Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Автор, ответственный за переписку.
Email: mikhail28ved@gmail.com
Россия, Nizhny Novgorod, 603600

M. Dorokhin

Nizhny Novgorod Research Physicotechnical Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: mikhail28ved@gmail.com
Россия, Nizhny Novgorod, 603600

V. Lesnikov

Nizhny Novgorod Research Physicotechnical Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: mikhail28ved@gmail.com
Россия, Nizhny Novgorod, 603600

D. Pavlov

Nizhny Novgorod Research Physicotechnical Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: mikhail28ved@gmail.com
Россия, Nizhny Novgorod, 603600

Yu. Usov

Nizhny Novgorod Research Physicotechnical Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: mikhail28ved@gmail.com
Россия, Nizhny Novgorod, 603600

A. Kudrin

Nizhny Novgorod Research Physicotechnical Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: mikhail28ved@gmail.com
Россия, Nizhny Novgorod, 603600

P. Demina

Nizhny Novgorod Research Physicotechnical Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: mikhail28ved@gmail.com
Россия, Nizhny Novgorod, 603600

A. Zdoroveishchev

Nizhny Novgorod Research Physicotechnical Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: mikhail28ved@gmail.com
Россия, Nizhny Novgorod, 603600

Yu. Danilov

Nizhny Novgorod Research Physicotechnical Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: mikhail28ved@gmail.com
Россия, Nizhny Novgorod, 603600

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).