Studying the Surface Conductivity of a Thallium Bilayer on Si(111) Substrate after Adsorption of Lithium and Rubidium


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Changes in the state of a thallium bilayer on Si(111) substrate, Si(111)6 × 6–Tl, after adsorption of lithium and rubidium were studied using low-energy electron-diffraction and four-point probe-conductivity measurements. New surface reconstructions 5 × 1 and \(5\sqrt 3 \times 5\sqrt 3 \) were observed after the adsorption of lithium, and 2 × 2 and \(\sqrt 3 \times \sqrt 3 \) reconstructions appeared after the adsorption of rubidium. The surface conductivity of silicon substrates was studied as a function of the dose of deposited adsorbate. It is established that the formation of both 5 × 1 and 2 × 2 reconstructions retains the conducting properties of a two-dimensional channel constituted by the thallium bilayer.

Об авторах

M. Ryzhkova

Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch

Email: tsukanov@iacp.dvo.ru
Россия, Vladivostok, 690041

E. Borisenkoa

Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch

Email: tsukanov@iacp.dvo.ru
Россия, Vladivostok, 690041

M. Ivanchenko

Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch; Far Eastern Federal University

Email: tsukanov@iacp.dvo.ru
Россия, Vladivostok, 690041; Vladivostok, 690950

D. Tsukanov

Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch; Far Eastern Federal University

Автор, ответственный за переписку.
Email: tsukanov@iacp.dvo.ru
Россия, Vladivostok, 690041; Vladivostok, 690950

A. Zotov

Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch; Far Eastern Federal University

Email: tsukanov@iacp.dvo.ru
Россия, Vladivostok, 690041; Vladivostok, 690950

A. Saranin

Institute of Automation and Control Processes, Far East Branch; Far Eastern Federal University

Email: tsukanov@iacp.dvo.ru
Россия, Vladivostok, 690041; Vladivostok, 690950

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).