The thermovoltaic effect in variband solid solution Si1–xGex (0 ≤ x ≤ 1)


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The thermovoltaic effect in films of variband solid solution Si1–xGex (0 ≤ x ≤ 1) has been observed for the first time. The samples comprised n-Si–p-Si1–xGex (0 ≤ x ≤ 1) heterostructures grown by liquid phase epitaxy. An electromotive force within 0.05–0.3 mV and a current of 0.0025–0.0035 μA appeared on heating samples in a temperature range from 40 to 250°C.

Об авторах

A. Saidov

Physicotechnical Institute, Solar Physics Research and Production Corporation

Автор, ответственный за переписку.
Email: amin@uzsci.net
Узбекистан, Tashkent, 700084

A. Leyderman

Physicotechnical Institute, Solar Physics Research and Production Corporation

Email: amin@uzsci.net
Узбекистан, Tashkent, 700084

A. Karshiev

Physicotechnical Institute, Solar Physics Research and Production Corporation

Email: amin@uzsci.net
Узбекистан, Tashkent, 700084

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).