🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Properties of ZnSe/Al2O3 Nanostructures Obtained by RF Magnetron Sputtering


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Experimental data for the synthesis of ZnSe/Al2O3 nanostructures utilizing a technology widely used in integrated circuit (IC) production are reported. It has been shown that the refractive index and size of the coherent scattering domains grow, whereas the energy bandgap decreases, with an increase in ZnSe width. It has been supposed that samples with a ZnSe width of 9 Å contain a ZnSeO3 compound and/or ZnSe ⋅ Al2O3 complex compound. Multilayer heterostructures with a ZnSe width more than 9 Å contain cubic ZnSe nanocrystallites.

Авторлар туралы

M. Ivanov

Udmurt State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ftt@udsu.ru
Ресей, Izhevsk, 426034

R. Zakirova

Udmurt State University

Email: ftt@udsu.ru
Ресей, Izhevsk, 426034

V. Kobziev

Udmurt State University

Email: ftt@udsu.ru
Ресей, Izhevsk, 426034

P. Krylov

Udmurt State University

Email: ftt@udsu.ru
Ресей, Izhevsk, 426034

I. Fedotova

Udmurt State University

Email: ftt@udsu.ru
Ресей, Izhevsk, 426034

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018