🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Parameters of pulse generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diodes: The influence of electron drift velocity saturation


如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

The generation of high-voltage electrical pulses by generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diode is demonstrated. It is shown that the electron drift velocity saturation influences the shape of output pulses.

作者简介

P. Ivanov

Ioffe Physical Technical Institute

编辑信件的主要联系方式.
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
俄罗斯联邦, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

I. Grekhov

Ioffe Physical Technical Institute

Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
俄罗斯联邦, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML

版权所有 © Pleiades Publishing, Ltd., 2016