Supersensitive graphene-based gas sensor


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Epitaxial graphene layers are produced with the aid of thermal destruction of the surface of a semi-insulating SiC substrate. Raman spectroscopy and atomic-force microscopy are employed in the study of the film homogeneity. A prototype of the gas sensor based on the films is fabricated. The device is sensitive to the NO2 molecules at a level of 5 ppb (five particles per billion). A possibility of the industrial application of the sensor is discussed.

Об авторах

A. Lebedev

Ioffe Physical Technical Institute; St. Petersburg National University of Information Technologies, Mechanics, and Optics

Автор, ответственный за переписку.
Email: shura_lebe@mail.ioffe.ru
Россия, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021; Kronverkskii pr. 49, St. Petersburg, 197101

S. Lebedev

Ioffe Physical Technical Institute; St. Petersburg National University of Information Technologies, Mechanics, and Optics

Email: shura_lebe@mail.ioffe.ru
Россия, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021; Kronverkskii pr. 49, St. Petersburg, 197101

S. Novikov

Aalto University

Email: shura_lebe@mail.ioffe.ru
Финляндия, Espoo, 02150

V. Davydov

Ioffe Physical Technical Institute

Email: shura_lebe@mail.ioffe.ru
Россия, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

A. Smirnov

Ioffe Physical Technical Institute; St. Petersburg National University of Information Technologies, Mechanics, and Optics

Email: shura_lebe@mail.ioffe.ru
Россия, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021; Kronverkskii pr. 49, St. Petersburg, 197101

D. Litvin

Ioffe Physical Technical Institute; Nitridnye Kristally Group

Email: shura_lebe@mail.ioffe.ru
Россия, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194156

Yu. Makarov

Nitridnye Kristally Group; Nitride Crystals Inc.

Email: shura_lebe@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194156; Deer Park, New York, 11729

V. Levitskii

Ioffe Physical Technical Institute

Email: shura_lebe@mail.ioffe.ru
Россия, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg, 194021

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).