Мақаланы E-mail арқылы жіберу Substrate-induced bandgap in the spectrum of an epitaxial graphene layer
- Авторлар: Alisultanov Z.Z.1,2,3
-
Мекемелер:
- Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Science Center
- Prokhorov General Physics Institute
- Dagestan State University
- Шығарылым: Том 61, № 10 (2016)
- Беттер: 1591-1594
- Бөлім: Short Communications
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7842/article/view/198328
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784216100029
- ID: 198328
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
It has been shown that a bandgap can appear in the spectrum of a graphene bilayer formed on the surface of a semiconductor. Bandgap widths have been estimated for various SiC polytypes. The predicted effect is important for the practical applications of graphene.
Авторлар туралы
Z. Alisultanov
Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Science Center; Prokhorov General Physics Institute; Dagestan State University
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: zaur0102@gmail.com
Ресей, ul. Yagarskogo 94, Makhachkala, 367003 Dagestan; ul. Vavilova 38, Moscow, 119991; ul. Gadzhieva 43-a, Makhachkala, 367000 Dagestan
Қосымша файлдар
