Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

It is shown that two electrons situated in a quantum well near a metallic electrode are attracted to each other due to the Bychkov–Rashba spin–orbit interaction (SOI) and electrostatic image forces. For quite accessible values of the characteristic parameters of the system, the effective attraction due to the SOI dominates over the Coulomb repulsion, and the formation of a bielectron becomes possible. The theory of the effect is especially simple and clear in the case of a quantum wire. The binding energy of the electron pair significantly increases under the application of a gate voltage of appropriate polarity.

Авторлар туралы

M. Mahmoodian

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: mahmood@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090

A. Chaplik

Novosibirsk State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: chaplik@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2018