Два канала рекомбинации неосновных носителей заряда в однородной полупроводниковой мишени
- Авторы: Серегина Е.В.1, Степович М.А.2, Филиппов М.Н.3
-
Учреждения:
- Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Национальный исследовательский университет)
- Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского
- Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
- Выпуск: № 4 (2025)
- Страницы: 37-43
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/326367
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096025040056
- EDN: https://elibrary.ru/FBXYYI
- ID: 326367
Цитировать
Аннотация
Об авторах
Е. В. Серегина
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Национальный исследовательский университет)
Email: evfs@yandex.ru
Калуга, 248000 Россия
М. А. Степович
Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского
Email: evfs@yandex.ru
Калуга, 248023 Россия
М. Н. Филиппов
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
Email: evfs@yandex.ru
Москва, 119991 Россия
Список литературы
- Stepovich M.A., Turtin D.V., Seregina E.V., Polyakov A.N. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1203. P. 012095. https://www.doi.org/10.1088/1742-6596/1203/1/012095
- Серегина Е.В., Степович М.А., Макаренков А.М. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2018. No 1. С. 93. https://www.doi.org/10.7868/S0207352818010158
- Серегина Е.В., Степович М.А., Филиппов М.Н. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2023. No 3. C. 74. https://www.doi.org/10.31857/S1028096023030159
- Амрастанов А.Н., Серегина Е.В., Степович М.А., Филиппов М.Н. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2018. No 8. С. 48. https://www.doi.org/10.1134/S0207352818080036
- Амрастанов А.Н., Серегина Е.В., Степович М.А. // Известия РАН. Серия физическая. 2019. Т. 83. No 11. С. 1455. https://www.doi.org/10.1134/S0367676519110024
- Noltemeyer M., Bertram F., Hempel T., Bastek B., Polyakov A., Christen J., Brandt M., Lorenz M., Grundmann M. // J. Mater. Res. 2012. V. 27. No 17. P. 2225.
- Поляков А.Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М.А. // Прикладная физика. 2012. No 6. С. 41.
- Поляков А.Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М.А. // Прикладная физика. 2015. No 4. C. 11.
- Поляков А.Н., Noltemeyer M., Christen J., Степович М.А., Туртин Д.В. // Перспективные материалы. 2016. No 2. C. 74.
- Поляков А.Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2012. No 11. С. 35.
- Polyakov A.N., Smirnova A.N., Stepovich M.A., Turtin D.V. // Lobachevskii Journal of Mathematics. 2018. V. 39. No 2. P. 259.
- Turtin D.V., Stepovich M.A., Kalmanovich V.V., Seregina E.V. // J. Math. Sci. 2021. V. 255. No 6. P. 773. https://www.doi.org/10.1007/s10958-021-05414-2
- Серегина Е.В., Степович М.А., Макаренков А.М. // Итоги науки и техники. Сер. Соврем. мат. и ее прил. Тематический обзор. 2021. Т. 200. No 1(11). С. 105. https://www.doi.org/10.36535/0233-6723-2021-200105-114
- Серегина Е.В., Степович М.А., Филиппов М.Н. // Итоги науки и техники. Сер. Соврем. мат. и ее прил. Тематический обзор. 2024. Т. 233. С. 89. https://www.doi.org/10.36535/2782-4438-2024-233-89-98
- Ханефт А.В., Долгачев В.А., Дугинов Е.В., Иванов Г.А. // Вестник КемГУ. 2013. Т. 3. No 3 (55). C. 31.
- Seregina E.V., Polyakov A.N., Stepovich M.A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2018. P. 012032.
- Поляков А.Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М.А. // Известия РАН. Серия физическая. 2012. Т. 76. No 9. С. 1082.
- Properties of group III nitrides. / Ed. Edgar J. H. London: INSPEC. 1994. 302 p.
- Properties, processing and application of GaN and related semiconductors / Ed. Edgar J.H. London: INSPEC. 1999. 830 p.
- Novikov Yu.A., Rakov A.V., Filippov M.N. // Measurement Techniques. 2004. V. 47. No 5. P. 438. https://www.doi.org/10.1023/B:METE.0000038108.67246.68
Дополнительные файлы
