Исследование процессов внедрения и экстракции лития в тонкопленочном литий-ионном аккумуляторе методом резерфордовского обратного рассеяния

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты исследования распределения лития в твердотельном тонкопленочном литий ионном аккумуляторе методом резерфордовского обратного рассеяния (РОР). Для анализа использовались ионы He+ с энергией 1.8 МэВ, рассеянные на угол 165° при условии падения по нормали к поверхности. По величине потерь энергии рассеянных ионов определена концентрация ионов Li в аккумуляторных слоях в заряженном и разряженном состоянии. Показано, что значения концентрации Li, полученные методом РОР и методом гальваностатических измерений совпадают при условии, что удельное сечение торможения на литии εLi в анодном слое в два раза меньше по сравнению с простым веществом.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

С. В. Курбатов

Российский университет дружбы народов

Автор, ответственный за переписку.
Email: kurbatov-93@bk.ru
Москва, 117198

Н. C. Мелесов

Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН

Email: melesovns@mail.ru
Россия, Ярославль, 150067

Е. О. Паршин

Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН

Email: melesovns@mail.ru
Россия, Ярославль, 150067

А. С. Рудый

Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН

Email: melesovns@mail.ru
Россия, Ярославль, 150067

А. А. Мироненко

Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова

Email: melesovns@mail.ru
Россия, Ярославль, 150003

В. В. Наумов

Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова

Email: melesovns@mail.ru
Россия, Ярославль, 150003

А. М. Скундин

Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина

Email: melesovns@mail.ru
Россия, Москва, 119071

В. И. Бачурин

Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН

Email: melesovns@mail.ru
Россия, Ярославль, 150067

Список литературы

  1. Cras F.L., Pecquenard B., Dubois V., Phan V.P., Guy‐Bouyssou D. // Adv. Energy Mater. 2015. V. five. №19. P. 1501061. https://doi.org/10.1002/aenm.201501061
  2. Iida S.I., Terashima M., Mamiya K., Chang H.Y., Sasaki S., Ono A., Kimoto T., Miyayama T. // Journal of Vacuum Science & Technology B. 2021. V. 39. № 4. https://doi.org/10.1116/6.0001044
  3. Jeong E., Hong C., Tak Y., Nam S.C., Cho S. // Journal of power sources. 2006. V. 159. №1. P. 223. https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2006.04.042
  4. Uhart A., Ledeuil J.B., Pecquenard B., Le Cras F., Proust M., Martinez H. // ACS applied materials & interfaces. 2017. V. 9. № 38. P. 33238. https://doi.org/10.1021/acsami.7b07270
  5. Masuda H., Ishida N., Ogata Y., Ito D., Fujita D. // Journal of Power Sources. 2018. V. 400. P. 527. https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2018.08.040
  6. Yamamoto K., Iriyama Y., Asaka T., Hirayama T., Fujita H., Nonaka K., Miyahara K., Sugita Y., Ogumi Z. // Electrochemistry communications. 2012. V. 20. P. 113.
  7. Oukassi S., Bazin A., Secouard C., Chevalier I., Poncet S., Poulet S., Boissel J-M., Geffraye F., Brun J., Salot R. // 2019 IEEE IEDM. 2019. P. 26.1.1–26.1.4. https://doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.8993483
  8. Wang Z., Santhanagopalan D., Zhang W., Wang F., Xin H.L. He, K., Li J., Dudney N.J., Meng Y.S. // Nano letters. 2016. V. 16. № 6. P. 3760–3767. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b01119
  9. Matsuda Y., Kuwata N., Okawa T., Dorai A., Kamishima O., Kawamura J. // Solid State Ionics. 2019. V. 335. P. 7–14. https://doi.org/10.1016/j.ssi.2019.02.010
  10. Inaba M., Iriyama Y., Ogumi Z., Todzuka Y., Tasaka A. // Journal of Raman spectroscopy. 1997. V. 28. № 8. P. 613–617. https://doi.org/10.1002/(SICI)1097–4555(199708)28:8<613::AID-JRS138>3.0.CO;2-T
  11. Chen C., Jiang M., Zhou T., Raijmakers L., Vezhlev E., Wu B., Schülli T.U., Danilov D.L., Wei Y., Eichel R-A., Notten P.H. // Adv. Energy Mater. 2021. V. 11. № 13. P. 2003939. https://doi.org/10.1002/aenm.202003939
  12. Tsuchiya B., Morita K., Nagata S., Kato T., Iriyama Y., Tsuchida H., Majima T. // Surface and Interface Analysis. 2014. V. 46. № 12–13. P. 1187–1191. https://doi.org/10.1002/sia.5620
  13. Oudenhoven J.F. M., Labohm F., Mulder M., Niessen R.A. H., Mulder F.M., Notten P. // Advanced Materials. 2011. V. 35. № 23. P. 4103–4106. https://doi.org/10.1002/adma.201101819
  14. Mathayan V., Morita K., Tsuchiya B., Ye R., Baba M., Primetzhofer D. // Materials Today Energy. 2021. V. 21. P. 100844. https://doi.org/10.1016/j.mtener.2021.100844
  15. Wang B., Bates J.B., Hart F.X., Sales B.C., Zuhr R.A., Robertson J.D. // J. Electrochem. Soc. 1996. V. 143. № 10. P. 3203. https://doi.org/10.1149/1.1837188
  16. Lee S.J., Baik H.K., Lee S.M. // Electrochemistry Communications. 2003. V. 5. № 1. P. 32–35. https://doi.org/10.1016/S1388–2481(02)00528–3
  17. Fujibayashi T., Kubota Y., Iwabuchi K., Yoshii N. // AIP Advances. 2017. V. 7. № 8. https://doi.org/10.1063/1.4999915
  18. Рудый А.С., Мироненко А.А., Наумов В.В., Федоров И.С., Скундин А.М., Торцева Ю.С. // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 5. С. 370–375. https://doi.org/10.31857/S0544126921050057
  19. Mayer M. SIMNRA User’s Guide. Germany: Max-Planck Institut fur Plasmaphysik, 2011. 220 p
  20. Альвиев Х.Х. // Электрохимическая энергетика. 2013. Т. 13. № 4. С. 225–227.
  21. Востриков В.Г., Каменских А.И., Ткаченко Н.В. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2020. № 1. С. 28–35. https://doi.org/10.31857/S1028096020010203
  22. Беспалова О.В., Борисов A.M., Востриков В.Г., Куликаускас В.С., Малюков Е.Е., Моломин В.И., Потапенко Е.М., Романовский Е.А., Серков М.В. // Известия РАН. Серия физическая. 2008. Т. 72. № 7. С. 1028–1030.
  23. Борисов А.М., Виргильев Ю.С., Дьячковский А.П., Машкова Е.С., Немов A.С., Сорокин А.И. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2006. № 4. С. 9–13.
  24. Кикоин И.К. Таблицы физических величин. Справочник. М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.
  25. Kurbatov S.V., Rudy A.S., Naumov V.V., Mironenko A.A., O.V. Savenko O.V., Smirnova M.A., Mazaletskiy L.A., Pukhov D.E. // Russian Microelectronics. 2024. V. 53. № 3. P. 202–216. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739724600250
  26. Chu W.K. Backscattering spectrometry. Academic Press, 1978. 384 p.
  27. Ziegler J.F., Manoyan J.M. The stopping of ions in compounds // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research. B. 1988. V. 35. № 3–4. P. 215–228. https://doi.org/10.1016/0168–583X(88)90273-X

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. (а) — Фотография образца ТТЛИА с обозначениями слоев, (б) — образец на столике анализатора РОР: 1 — нижний титановый токоотвод, 2 — граница слоев LiPON/LiCoO2, 3 — открытая часть слоя Si@O@Al, 4 — верхний титановый токоотвод.

Скачать (295KB)
3. Рис. 2. Схема рассеяния нормально падающего пучка He+ на ТТЛИА.

Скачать (78KB)
4. Рис. 3. Заряд-разрядные кривые ТТЛИА со структурой Ti/Si@O@Al(анод)LiPON(электролит)/LiCoO2(катод)/Ti: (а) — ток 8 мкА, потенциальное окно 1.5–3.8 В, (б) — ток 4 мкА, потенциальное окно 1.5–3.8 В. (1 — заряд аккумулятора, 2 — разряд).

Скачать (200KB)
5. Рис. 4. РЭМ-изображение поперечного скола ТТЛИА.

Скачать (387KB)
6. Рис. 5. Спектры резерфордовского обратного рассеяния ТТЛИА в заряженном (кривая 1 на рисунке) и разряженном (кривая 2 на рисунке) состояниях; (а) — ток заряда-разряда 8 мкА, (б) — ток 4 мкА. Начальная энергии зондирующих ионов He+ 1.8 МэВ, доза облучения D = 10 мкКл, ширина канала — 2.2376 кэВ.

Скачать (382KB)
7. Рис. 6. Сравнение экспериментальных спектров (кривая — 1) с результатами моделирования в программе SIMNRA (рис. 2): (а) — в разряженном состоянии, ток 8 мкА, (б) — в заряженном состоянии, ток 8 мкА, (в) — в разряженным состоянии, ток 4 мкА и (г) — в заряженном состоянии, ток 4 мкА. Ширина канала 2.2376 кэВ, смещение нуля 26 кэВ.

Скачать (504KB)

© Институт физики твердого тела РАН, Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».