Модификация свойств поверхностных слоев алюминиевых сплавов под действием мощного ионного пучка
- Авторы: Панова Т.В.1, Ковивчак В.С.1
-
Учреждения:
- Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского
- Выпуск: № 3 (2023)
- Страницы: 16-22
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/1028-0960/article/view/137718
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023030135
- EDN: https://elibrary.ru/LFQVRH
- ID: 137718
Цитировать
Аннотация
Исследовано воздействие мощного ионного пучка наносекундной длительности на напряженно-деформированное состояние поверхностного слоя алюминия и его сплавов. Проведено сопоставление данных элементного и фазового анализа, остаточных напряжений, размеров областей когерентного рассеяния и плотности дислокаций с величиной микротвердости для различных режимов облучения. Обнаружено уменьшение параметров решетки α-фазы алюминия с увеличением плотности ионного тока, что свидетельствует о деформирующем влиянии возникающих сжимающих остаточных напряжений при облучении мощным ионным пучком. Анализ размеров областей когерентного рассеяния в сплавах при сравнении с чистым алюминием показал тенденцию к их уменьшению: в сплаве Д16 – в 1.5 раза, плотность дислокаций увеличилась в два раза, а в сплаве В95Т плотность дислокаций возросла в три раза. Такая тенденция говорит о существенном влиянии легирующих элементов на дисперсность и плотность дислокаций при варьировании параметров облучения.
Ключевые слова
Об авторах
Т. В. Панова
Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского
Автор, ответственный за переписку.
Email: panovatv@omsu.ru
Россия, 644077, Омск
В. С. Ковивчак
Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского
Email: panovatv@omsu.ru
Россия, 644077, Омск
Список литературы
- Ремнев Г.Е., Тарбоков В.А., Павлов С.К. // Физика и химия обработки материалов. 2021. № 2. С. 5. https://doi.org/10.30791/0015-3214-2021-2-5-26
- Грибков В.А., Григорьев В.И., Калин Б.А., Якушин В.Л. Перспективные радиационно-пучковые технологии обработки материалов. М.: Круглый год, 2001. 528 с.
- Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками / Ред. Поута Дж.М. и др. М.: Машиностроение, 1987. 423 с.
- Ремнев Г.Е., Погребняк А.Д. // Новости науки и техники. Сер. Новые материалы, технология их производства и обработки. М.: ВИНИТИ, 1990. 30 с.
- Ремнев Г.Е., Погребняк А.Д., Исанов И.Ф. и др. // Физика и химия обработки материалов, 1987. Вып. 6. С. 4.
- Чистяков С.А., Халиков С.В., Яловец А.П. // ЖТФ. 1993. Т. 63. № 1. С. 31.
- Ковивчак В.С., Панова Т.В. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2018. № 8. С. 69. https://doi.org/10.1134/S0207352818080115
- Шеметев Г.Ф. // Алюминиевые сплавы: составы, свойства, применение. Учебное пособие по курсу “Производство отливок из сплавов цветных металлов”. Ч. I. Санкт-Петербург, 2012. С. 16.
- Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. 320 с.
- Комаров Ф.Ф. Ионная имплантация в металлы. М.: Металлургия, 1990. 216 с.
- Блейхер Г.А., Кривобоков В.П., Пащенко О.Б. // Изв. вузов. Физика. 1997. № 2. С. 67.
- Фень Л.Ц., Ремнев Г.Е., Салтымаков М.С. и др. // Изв. вузов. Физика. 2007. Т. 50. № 1. С. 66.
- Коротаев А.Д., Тюменцев А.Н., Третьяк М.В. и др. // Физика металлов и металловедение. 2000. Т. 89. № 1. С. 54.
- Бойко В.И., Валяев А.Н., Погребняк А.Д. // УФН. 1999. Т. 169. № 11. С. 1243.
- Ремнев Г.Е. // Изв. Томского политех. ун-та. 2000. Т. 303. № 2. С. 59.
- Чернов И.П., Белоглазова П.А., Березнеева Е.В. и др. // ЖТФ. 2015. Т. 85. Вып.7. С. 95.
- Панова Т.В., Ковивчак В.С. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2019. № 11. С. 94. https://doi.org/10.1134/S10280 96019110177
- Ковивчак В.С., Панова Т.В., Михайлов К.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2017. № 4. С. 95. https://doi.org/10.7868/S0207352817040126
- Ковивчак В.С., Панова Т.В., Михайлов К.А., Князев Е.В. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 1. С. 11.
- Панова Т.В., Ковивчак В.С., Докучаев К.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2014. № 3. С. 48. https://doi.org/10.7868/S0207352814030196