Отрицательный изотопный сдвиг LO-фонона в 3C-SiC: универсальный механизм доминирования масс-эффекта в кубических кристаллах

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Обнаружено новое физическое явление: доминирование изотопного масс-эффекта над вкладом деформаций (strain) в кубических кристаллах, проявляющееся отрицательным сдвигом частоты фононов. На примере 3C-SiC экспериментально доказана универсальность связи ω ∼ μ−1/2 для симметричных решеток. Контраст с положительными сдвигами в анизотропных 4Н/6Н-SiC доказывает ключевую роль симметрии кристалла в конкурентном разделении вкладов масс-эффекта и деформаций.

Об авторах

М. В. Долгополов

Самарский государственный технический университет

Email: mikhaildolgopolov68@gmail.com
443100 Самара, Россия

А. С. Чипура

Самарский государственный технический университет

443100 Самара, Россия

Список литературы

  1. Е. В. Андреев, М. В. Долгополов, В. И. Чепурнов, А. С. Чипура, Письма в ЭЧАЯ 22(4)(261), 922 (2025).
  2. M. Stuiver and H. A. Polach, Radiocarbon 19(3), 355 (1977).
  3. G. F. Knoll, Radiation Detection and Measurement, 4th ed., Wiley, Hoboken, New Jersey, USA (2010).
  4. А. П. Жернов, А. В. Инюшкин, УФН 171, 827 (2001); doi: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000965.
  5. A. Stangl, D. Pla, C. Pirovano, O. Chaix-Pluchery, F. Baiutti, F. Chiabrera, A. Tarancon, C. Jimenez, M. Mermoux, and M. Burriel, Adv. Mater. 35, 2303259 (2023); doi: 10.1002/adma.202303259.
  6. M. Cardona, M. L. W. Thewalt, Rev. Mod. Phys. 77, 1173 (2005); doi: 10.1103/RevModPhys.77.1173.
  7. M. A. Capano, B. C. Kim, A. R. Smith, E. P. Kvam, S. Tsoi, and A. K. Ramdas, J. Appl. Phys. 100(8), 083514 (2006); doi: 10.1063/1.2357842.
  8. M. Cardona, Resonance Phenomena, in Light Scattering in Solids II, ed. by M. Cardona, and G. Güntherodt, Topics in Applied Physics, Springer, Berlin, Heidelberg (1982), p. 19; doi: 10.1007/3-540-11380-0_14.
  9. M. Amirmazlaghani, A. Rajabi, Z. Pour-mohammadi, and A. A. Sehat, Superlattices Microstruct. 145, 106602 (2020); doi: 10.1016/j.spmi.2020.106602.
  10. B.L. Anderson and R.L. Anderson, Fundamentals of Semiconductor Devices., Second Edition. McGraw-Hill Education, Columbus, Ohio, USA (2005).
  11. Патент # 2653398 C2 Российская Федерация, МПК С23С 16/32, С23С 16/44, Н0IL 21/205. Способ получения пористого слоя гетероструктуры карбида кремния на подложке кремния: # 2016129598: заявл. 19.07.2016: опубл. 08.05.2018 / В.И. Чепурнов, М.В. Долгополов, А.В. Гурская, Н.В. Латухина; заявитель федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева", Общество с ограниченной ответственностью "БегаВольтаика", EDN LGUCAE.
  12. Патент # 2733616 C2 Российская Федерация, МПК С30B 29/36, С30B 31/06, G21H 1/02. Карбид кремния: материал для радиоизотопного источника энергии: заявл. 11.03.2020: опубл. 05.10.2020 / О.Л. Сурин, В.И. Чепурнов; заявитель Общество с ограниченной ответственностью "БегаВольтаика"; EDN UHGHAI.
  13. M.V. Dolgopolov and A.S. Chipura, J. Power Sources 613, 234896 (2024); doi: 10.1016/j.jpowsour.2024.234896.
  14. Патент # 2767098 C2 Российская Федерация, МПК С30B 25/08, С30B 25/14, С30B 25/18. CVD-реактор синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевых подложках: # 2021122786: заявл. 29.07.2021: опубл. 16.03.2022 / О.Л. Сурин, В.И. Чепурнов; заявитель Общество с ограниченной ответственностью "Открытый кол"; EDN KZLHGN.
  15. V.N. Lednev, M.Ya. Grishin, S.M. Pershin, and A.F. Bunkin, Opt. Lett. 41, 4625 (2016); doi: https://doi.org/10.1364/OL.41.004625.
  16. N. Liu, A. Steele, L.R. Nittler, and C.M.O'D. Alexander, 46th Lunar Planet. Sci. Conf. 2173.pdf (2015), 2 p.; www.hou.usra.edu/meetings/lpsc2015/pdf/2173.pdf
  17. Q. Zhao, Z. Liu, K. Huo, W. Zhang, B. Xiao, Y. Xiong, Y. Huang, C. Huang, Y. Luo, Y. Liu, L. Wang, A. Basit, G. Shen, Y. Luo, Q. Jiang, X. Li, and J. Yang, Carbon Neutralization. 4(5), e70039 (2025); doi: 10.1002/cnl2.70039.
  18. J. Xu, J. Zhang, and G. Zhang, J. Energy Storage. A 134, 118092 (2025); doi: 10.1016/j.est.2025.118092.
  19. Z. Li, K. Li, Y. Wang, and S. Wang, Joule 9, 102133 (2025); doi: 10.1016/j.joule.2025.102133.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».