Новый высокосимметричный структурный радиационный дефект в алмазе, выявленный методом ЭПР

Методом электронного парамагнитного резонанса проведено первичное исследование структурного центра, образованного в синтетическом алмазе типа Ib после облучения электронами 3 МэВ и отжига 1200 ◦С/30 мин. Условия образования и полученные характеристики сближают его с группой парамагнитных центров R5–R12, однако в отличие от них исследованный центр более высокосимметричен: при таком же спине S = 1 он обладает практически изотропными (в пределах точности эксперимента и моделирования) g-фактором g = 2.018(2), значительной величиной расщепления в нулевом поле D = 2886(9) МГц, а также симметрией <111> (C3v). Исследованный центр можно считать ярким примером тенденции к повышению локальной симметрии структурных центров в алмазе при увеличении энергии порождающего их облучения и, в особенности, температуры последующего отжига.