Пороговая фотогенерация биэкситонов в нанокристаллах на основе прямозонных полупроводников

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Рассмотрен процесс создания двух электронно-дырочных пар (биэкситона) в нанокристалле на основе прямозонного полупроводника с невырожденной зоной проводимости за счет поглощения одного фотона с энергией, равной удвоенной ширине энергетической щели нанокристалла. Показано, что процесс может идти только при наличии межэлектронного взаимодействия и взаимодействия электронов с полем кристаллической решетки. Рассчитана скорость процесса, которая оказывается сильно зависящей от размера нанокристалла.

Об авторах

С. А Фомичёв

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

Н.Новгород, Россия

В. А Бурдов

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

Email: burdov@phys.unn.ru
Н.Новгород, Россия

Список литературы

  1. A.R. Beattie, J. Phys. Chem. Solids 24, 1049 (1962).
  2. E.O. Kane, Phys. Rev. 159, 624 (1967).
  3. C. L. Anderson and C.R. Crowell, Phys. Rev. B 5, 2267 (1972).
  4. R.C. Alig and S. Bloom, Phys. Rev. Lett. 35, 1522 (1975).
  5. J. Bude and K. Hess, J. Appl. Phys. 72, 3554 (1992).
  6. O. Christensen, J. Appl. Phys. 47, 689 (1976).
  7. S. Kolodinski, J.H. Werner, T. Wittchen, and H. J. Queisser, Appl. Phys. Lett. 63, 2405 (1993).
  8. M. Wolf, R. Brendel, J.H. Werner, and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 83, 4213 (1998).
  9. K. Hyeon-Deuk and O.V. Prezhdo, J. Phys.: Condens. Matter 24, 363201 (2012).
  10. V. I. Klimov, Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 5, 285 (2014).
  11. I. Marri and S. Ossicini, Nanoscale 13, 12119 (2021).
  12. C. Melnychuk and P. Guyot-Sionnest, Chem. Rev. 121, 2325 (2021).
  13. M.C. Beard, A.G. Midgett, M.C. Hanna, J.M. Luther, B.K. Hughes, and A. J. Nozik, Nano Lett. 10, 3019 (2010).
  14. R.D. Schaller and V. I. Klimov, Phys. Rev. Lett. 92, 186601 (2004).
  15. M.C. Beard, K.P. Knutsen, P. Yu, J.M. Luther, Q. Song, W.K. Metzger, R. J. Ellingson, and A. J. Nozik, Nano Lett. 7, 2506 (2007).
  16. R.D. Schaller, V.M. Agranovich, and V. I. Klimov, Nat. Phys. 1, 189 (2005).
  17. V. I. Rupasov and V. I. Klimov, Phys. Rev. B 76, 125321 (2007).
  18. S.A. Fomichev and V.A. Burdov, J. Chem. Phys. 160, 234301 (2024).
  19. В.А. Бурдов, ЖЭТФ 121, 480 (2002).
  20. J.R. Chelikowsky and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 14, 556 (1976).
  21. P.Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Springer-Verlag Berlin Heidelberg (2010).
  22. P. Lawaetz, Phys. Rev. B 4, 3460 (1971).
  23. M. L. Cohen and T.K. Bergstresser, Phys. Rev. 141, 789 (1966).
  24. V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).