Отправить статью по E-mail Каскад фазовых переходов под давлением в BaMn2P2 и BaMn2As2
- Авторы: Павлов Н.С1,2, Шеин И.Р3, Некрасов И.А1,2
-
Учреждения:
- Институт электрофизики Уральского отделения РАН
- Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
- Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН
- Выпуск: Том 120, № 1-2 (2024)
- Страницы: 146-151
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0370-274X/article/view/262239
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567824140106
- EDN: https://elibrary.ru/WXXJZY
- ID: 262239
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
В рамках DFT+U метода изучено изменение кристаллической структуры, электронных, термодинамических и магнитных свойств при приложении гидростатического давления от 0 до 140 ГПа в соединениях BaMn2P2 и BaMn2As2 – структурных аналогах сверхпроводников на основе железа. Фазовый переход второго рода от антиферромагнитного изолятора к антиферромагнитному металлу наблюдается при давлении 6.4 ГПа для BaMn2P2 и 8.3 ГПа для BaMn2As2. Возможно, при допировании BaMn2P2 и BaMn2As2 могут оказаться сверхпроводниками выше 6–8 ГПа с критической температурой, которая растет под давлением. Более того, дальнейшее увеличение давления приводит к серии магнитоструктурных фазовых переходов первого рода между различными антиферромагнитными фазами, после которых происходит переход в сосояние ферромагнитного металла и, наконец, немагнитного металла.
Об авторах
Н. С Павлов
Институт электрофизики Уральского отделения РАН; Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: pavlov@iep.uran.ru
Екатеринбург, Россия; Москва, Россия
И. Р Шеин
Институт химии твердого тела Уральского отделения РАНЕкатеринбург, Россия
И. А Некрасов
Институт электрофизики Уральского отделения РАН; Физический институт им. П.Н.Лебедева РАНЕкатеринбург, Россия; Москва, Россия
Список литературы
- М. В. Садовский, Успехи физических наук 178, 1243 (2008).
- G.R. Stewart, Rev. Mod. Phys. 83, 1589 (2011).
- K. Ishida, Y. Nakai, and H. Hosono, J. Phys. Soc. Jpn. 78, 062001 (2009).
- M. Neupane, Ch. Liu, S.-Y. Xu, Y.-J. Wang, N. Ni, J.M. Allred, L.A. Wray, N. Alidoust, H. Lin, R. S. Markiewicz, A. Bansil, R. J. Cava, and M. Z. Hasan, Phys. Rev. B 85, 094510 (2012).
- И. А. Некрасов, М. В. Садовский, Письма в ЖЭТФ 10, 687 (2014).
- T. L. Hung, C. H. Huang, L. Z. Deng, M. N. Ou, Y. Y. Chen, M. K. Wu, S. Y. Huyan, C. W. Chu, P. J. Chen, and T. K. Lee, Nat. Commun. 12, 5436 (2021).
- A. T. Satya, Awadhesh Mani, A. Arulraj, N. V. Chandra Shekar, K. Vinod, C. S. Sundar, and A. Bharathi, Phys. Rev. B 84, 180515 (2011).
- Y. Singh, A. Ellern, and D. C. Johnston, Phys. Rev. B 79, 094519 (2009).
- A. Pandey, V. K. Anand, and D. C. Johnston, Phys. Rev. B 84, 014405 (2011).
- A. Antal, T. Knoblauch, Y. Singh, P. Gegenwart, D. Wu, and M. Dressel, Phys. Rev. B 86, 014506 (2012).
- W. L. Zhang, P. Richard, A. van Roekeghem et al. (Collaboration), Phys. Rev. B 94, 155155 (2016).
- G. Kresse and J. Furthmuller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
- J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
- S.L. Dudarev, G. A. Botton, S.Y. Savrasov, C. J. Humphreys, and A. P. Sutton, Phys. Rev. B 57, 1505 (1998).
- A. Otero-de-la Roza and V. Luana, Comput. Phys. Commun. 182, 1708 (2011).
- F. Birch, Phys. Rev. 71, 809 (1947).
- W. Hai-Ping, D. Kai-Ming, T. Wei-Shi, X. Chuan-Yun, H. Feng-Lan, and L. Qun-Xiang, Chinese Physics B 18, 5008 (2009).
- E. Z. Kuchinskii, I. A. Nekrasov, and M. V. Sadovskii, Письма в ЖЭТФ 91, 567 (2010).
- K. Kobayashi, J.-i. Yamaura, S. limura, S. Maki, H. Sagayama, R. Kumai, Y. Murakami, H. Takahashi, S. Matsuishi, and H. Hosono, Sci. Rep. 6, 39646 (2016).
- A. S Sefat, Rep. Prog. Phys. 74, 124502 (2011).
