Vozbuzhdennye sostoyaniya eksitonov v monosloyakh MoSe2 i WSe2
- Authors: Golyshkov G.M1, Brichkin A.S1, Bisti V.E1, Chernenko A.V1
-
Affiliations:
- Issue: Vol 120, No 3-4 (2024)
- Pages: 279–285
- Section: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0370-274X/article/view/262263
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24080205
- EDN: https://elibrary.ru/ALMDFV
- ID: 262263
Cite item
Abstract
Методом оптической спектроскопии отражения исследованы экситоны в монослоях MoSe2 и WSe2, инкапсулированных гексагональным нитридом бора. Изучены основные и возбужденные состояния А- и В-экситонов при температурах от гелиевой до комнатной. В спектре отражения отчетливо наблюдаются линии экситонов А:1s, В:1s и их возбужденные состояния А:2s, А:3s, В:2s. Наблюдаемые формы линий спектра отражения монослоев дихалькогенидов переходных металлов зависят от толщины используемых в структуре слоев hBN и находятся в хорошем соответствии с численным моделированием методом матриц переноса. Впервые на основе данных эксперимента и выполненных расчетов энергии связи экситонов получены значения приведенных масс В-экситонов.
References
- G. Wang, A., M.M. Glazov, T. F. Heinz, X. Marie, T. Amand, and B. Urbaszek. Rev. Mod. Phys. 90, 021001 (2018).
- М. В. Дурнев, М.М. Глазов. УФН 188, 913 (2018).
- M.M.Glazov. J. Chem. Phys. 153, 034703 (2020).
- A. Chernikov, A.M. van der Zande, H.M. Hill, A. F. Rigosi, A. Velauthapillai, J. Hone, and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 115, 126802 (2015).
- B. Aslan, C. Yule, Y. Yu, Y. J. Lee, T. F. Heinz, L. Cao, and M. L. Brongersma, 2D Mater. 9, 015002 (2022).
- C. Robert, M.A. Semina, F. Cadiz, M. Manca, E. Courtade, T. Taniguchi, K. Watanabe, H. Cai, S. Tongay, B. Lassagne, P. Renucci, T. Amand, X. Marie, M.M. Glazov, and B. Urbaszek, Phys. Rev. Mater. 2, 011001 (2018); htpp://link.aps.org/supplemental/10.1103/PhysRevMaterials.2.011001.
- B. Han, C. Robert, E. Courtade, M. Manca, S. Shree, T. Amand, P. Renucci, T. Taniguchi, K. Watanabe, X. Marie, L.E. Golub, M.M. Glazov, and B. Urbaszek, Phys. Rev. X 8, 031073 (2018).
- M.R. Molas, A.O. Slobodeniuk, K. Nogajewski, M. Bartos, L. Bala, A. Babinski, K. Watanabe, T. Taniguchi, C. Faugeras, and M. Potemski, Phys. Rev. Lett. 123, 136801 (2019).
- A.V. Stier, N.P. Wilson, K.A. Velizhanin, J. Kono, X. Xu, and S.A. Crooker, Phys. Rev. Lett. 120, 057405 (2018).
- M. Goryca, J. Li, A.V. Stier, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Courtade, S. Shree, C. Robert, B. Urbaszek, X. Marie, and S.A. Crooker, Nat. Commun. 10, 4172 (2019); https://doi.org/10.1038/s41467-019-12180-y.
- А.С. Бричкин, Г.М. Голышков, А.В. Черненко, ЖЭТФ 163, 852 (2023).
- А.В. Черненко, А.С. Бричкин, Г.М. Голышков, А.Ф. Шевчун, Известия РАН, серия физическая 87, 189 (2023).
- E. L. Ivchenko, Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures, Alpha Science, Harrow, UK (2005).
- I.C. Gerber, E. Courtade, Sh. Shree, C. Robert, T. Taniguchi, K. Watanabe, A. Balocchi, P. Renucci, D. Lagarde, X. Marie, and B. Urbaszek, Phys. Rev. B 99, 035443 (2019).
- R. Geick, C.H. Perry, and G. Rupprecht, Phys. Rev. 146, 543 (1966).
- Н.С. Рытова, Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 3, 30 (1967).
- Л.В. Келдыш, Письма в ЖЭТФ 29, 716 (1979).