Znakoperemennaya deviatsiya odnochastichnoy VAKh gryaznogo SIN-kontakta
- Authors: Kirpichenkov V.Y.1, Kirpichenkova N.V.1, Kulinichev E.R.1
-
Affiliations:
- Issue: Vol 119, No 11-12 (2024)
- Pages: 932–941
- Section: Articles
- URL: https://journals.rcsi.science/0370-274X/article/view/260894
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567824120103
- EDN: https://elibrary.ru/WWOOPE
- ID: 260894
Cite item
Abstract
В области низких температур и напряжений: 0 6 |eV | ≪ T ≪ ∆0 получена формула для одночастичной вольт-амперной характеристики J(V, T, c, β) “грязного” (малые концентрации одинаковых немагнитных примесей в I-слое) SIN-контакта (S – сверхпроводник, I – неупорядоченный изолятор, N – нормальный металл), где: e – модуль заряда электрона, ∆0 – сверхпроводящая щель в S-береге контакта при температуре T = 0, V – напряжение на контакте, c ≪ 1 – безразмерная концентрация примесей в I-слое, β = (ε0 − µ)/∆0 – безразмерная девиация актуального для данной задачи однопримесного электронного энергетического уровня ε0 (на одинаковых примесях в I-слое) относительно уровня µ электронного химпотенциала контакта. Показано, что присутствие случайных узкозонных квантовых закороток в неупорядоченном I-слое приводит в некоторой ограниченной области Ωd(c, β) на плоскости параметров (c, β) к аномально сильной знакопеременной девиации одночастичной вольт-амперной характеристики грязного SIN-контакта относительно одночастичной вольт-амперной характеристики этого же грязного контакта, вычисляемой по формуле существующей теории. На численном примере продемонстрировано, что относительная девиация одночастичной ВАХ для характерных значений параметров грязного SIN-контакта в области Ωd(c, β) может достигать нескольких порядков, что обеспечивает возможность экспериментального проявления этого эффекта. Обсуждены условия применимости рассмотренной модели грязного SIN-контакта, предложена принципиальная схема соответствующего эксперимента.
About the authors
V. Ya. Kirpichenkov
Email: wkirpich@rambler.ru
N. V. Kirpichenkova
E. R. Kulinichev
References
- А. В. Селиверстов, М. А. Тарасов, В. С. Эдельман, ЖЭТФ 151, 752 (2017).
- F. W. J. Hekking and Yu. V. Nazarov, Phys. Rev. B 49, 6847 (1994).
- D. Golubev and I. Kuzmin, J. Appl. Phys. 89, 6484 (2001).
- В. Я. Кирпиченков, Н. В. Кирпиченкова, О. И. Лозин, А. А. Постников, Письма в ЖЭТФ 104, 530 (2016).
- В. Я. Кирпиченков, Н. В. Кирпиченкова, О. И. Лозин, А. А. Пухлова, Письма в ЖЭТФ 105, 577 (2017).
- А. Ф. Андреев, ЖЭТФ 46, 1823 (1964).
- Л. С. Левитов, А. В. Шитов, Функции Грина. Задачи с решениями, Физматлит, М. (2002).
- В. Я. Кирпиченков, Н. В. Кирпиченкова, О. И. Лозин, А. А. Косач, Письма в ЖЭТФ 112, 114 (2020).
- И. М. Лифшиц, С. А. Гредескул, Л. А. Пастур, Введение в теорию неупорядоченных систем, Наука, М. (1982).
- И. М. Лифшиц, В. Я. Кирпиченков, ЖЭТФ 77, 989 (1979).
- В. Я. Кирпиченков, ЖЭТФ 116, 1048 (1999).
- А. А. Абрикосов, Основы теории металлов, Наука, М. (1987).
- P. W. Anderson, Phys. Rev. 109, 1492 (1958).
- Дж. Займан, Модели беспорядка, Мир, М. (1982).