Электронный парамагнитный резонанс ионов Gd3+ в узкозонном полупроводнике Pb1-x-yGdxCuyS: эффекты влияния резонансных переходов на проводимость
- Авторы: Уланов В.А.1,2, Зайнуллин Р.Р.2, Яцык И.В.1, Шестаков А.В.3, Синицин А.М.2
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр «Казанский научный центр Российской академии наук»
- Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Казанский государственный энергетический университет»
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр «Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук»
- Выпуск: Том 88, № 12 (2024)
- Страницы: 1919-1925
- Раздел: Нанооптика, фотоника и когерентная спектроскопия
- URL: https://journals.rcsi.science/0367-6765/article/view/286510
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524120129
- EDN: https://elibrary.ru/EWESUL
- ID: 286510
Цитировать
Аннотация
В кристаллах узкозонного полупроводника Pb1-x-yGdxCuyS(x = 1.1‧10−3, y = 2.5‧10−3) при температурах T = 5—300 К обнаружены необычные зависимости формы линий спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) парамагнитных центров Gd3+ от температуры и уровня микроволновой мощности в резонаторе спектрометра. На основе анализа параметров формы резонансных линий, зарегистрированных в X-диапазоне, обнаружено, что одной из причин необычных изменений в наблюдаемых спектрах ЭПР центров Gd3+ является неравномерное распределение акцепторной примеси меди с образованием областей с различными концентрациями свободных носителей заряда. По-видимому, в этих областях резонансные переходы между спиновыми состояниями центров Gd3+ по-разному влияют на величины кинетических характеристик свободных носителей заряда, что приводит к различным вкладам к квазирезонансному поглощению микроволновой мощности.
Полный текст

Об авторах
В. А. Уланов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр «Казанский научный центр Российской академии наук»; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Казанский государственный энергетический университет»
Email: rrza7@yandex.ru
Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского
Россия, Казань; КазаньР. Р. Зайнуллин
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Казанский государственный энергетический университет»
Автор, ответственный за переписку.
Email: rrza7@yandex.ru
Россия, Казань
И. В. Яцык
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр «Казанский научный центр Российской академии наук»
Email: rrza7@yandex.ru
Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского
Россия, КазаньА. В. Шестаков
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр «Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук»
Email: rrza7@yandex.ru
Россия, Москва
А. М. Синицин
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Казанский государственный энергетический университет»
Email: rrza7@yandex.ru
Россия, Казань
Список литературы
- Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и Pb S.М.: Наука, 1968. 384 c.
- Dyakonov M.I. // In: Springer Series in Solid-State Sciences. V. 157. Springer International Publishing AG, 2017.
- Kossut J., Gaj J.A. Introduction to the physics of diluted magnetic semiconductors. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 2010. 469 p.
- Teran F.J., Potemski M., Maude D.K. et al. // Physica E. 2003. V. 17. P. 335.
- Уланов В.А., Зайнуллин Р.Р., Хушея Т.А.Н., Яцык И.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 12. C. 1682, Ulanov V.A., Zainullin R.R., Housheya T.A.N., Yatsyk I.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. 2021. V. 85. No. 12. P. 1337.
- Алексеева Г.Т., Ведерников М.В., Гуриева Е.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. № 7. C. 806, Alekseeva G.T., Vedernikov M.V., Gurieva E.A. // Semiconductors. 1998. V. 32. No. 7. P. 716.
- Заячук Д.М., Добрянский О.А. // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. С. 1331, Zayachuk D.M., Dobryanskiǐ O.A. // Semiconductors. 1998. V. 32. No. 11. P. 1185.
- Голенищев-Кутузов В.А., Синицин А.М., Лабутина Ю.В., Уланов В.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2018. Т. 82. № 7. С. 852, Golenishchev-Kutuzov V.A., Sinitsin A.M., Labutina Yu.V., Ulanov V.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2018. V. 82. No. 7. P. 761.
- Уланов В.А., Зайнуллин Р.Р., Синицин А.М. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 12. С. 1773, Ulanov V.A., Zainullin R.R., Sinizin A.M. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. 2023. V. 87. No. 12. P. 1856.
- Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. Т. 1. М.: Мир, 1972. 652 с.
- Story T. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. No. 13. P. 2802.
- Vladimirova M., Cronenberger S., Barate P. et al. // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. Art. No. 081305(R).
Дополнительные файлы
