Влияние кислорода на морфологию кремниевых осадков

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

В данной работе была проведена серия экспериментов, направленных на изучение влияния кислорода на морфологию кремния, полученного при электроосаждении из расплава KCl‒K2SiF6. В качестве носителя кислорода был выбран SiO2. По полученной зависимости сделаны предположения о характере взаимодействия между компонентами расплава. Точки перегиба, регистрируемые на зависимости ω(KF)‒ω(SiO2), указывают на изменение характера взаимодействия SiO2 с исследуемым расплавом. По результатам исследования кинетики катодного процесса на стеклоуглероде с учетом теории автокомплексного строения было сделано предположение о структуре разряжающихся комплексных ионов в расплавах KCl‒K2SiF6 и KCl‒K2SiF6‒SiO2. Исследование кинетики производили методом циклической вольтамперометрии. При появлении добавки SiO2 наблюдали расширение области потенциалов разряда кремния, а также непропорциональное увеличение величины катодного тока с повышением концентрации SiO2 в расплаве. Одним из возможных объяснений полученных результатов является изменение структуры разряжающихся комплексных ионов. Полученные данные о кинетике катодного процесса, а также предположения о строении разряжающегося комплекса, стали основанием для выбора параметров потенциостатического электролиза. В ходе исследований была проведена серия экспериментов по электроосаждению кремния из исследуемых расплавов при варьировании величины катодного перенапряжения от 0.10 до 0.25 В. Морфологию катодных осадков исследовали при помощи электронно‒сканирующей микроскопии. Сделано предположение, что изменения в морфологии полученных катодных осадков связаны с изменением состава разряжающихся комплексов.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Тимофей Анатольевич Гевел

ФГАОУ ВПО Уральский федеральный университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: Timofey.gevel@urfu.ru
ORCID iD: 0000-0001-9719-6596
Россия, Екатеринбург

Андрей Викторович Суздальцев

ФГАОУ ВПО Уральский федеральный университет

Email: Timofey.gevel@urfu.ru
ORCID iD: 0000-0003-3004-7611
Россия, Екатеринбург

Список литературы

  1. Feng K., Li M., Liu W., Kashkooli A.G., Xiao X., Cai M., Chen Z. Silicon‒based anodes for lithium‒ion batteries: From fundamentals to practical applications // Small. 2018. 14. 1702737.
  2. Hasan A., Sarwar J., Shan A.H. Concentrated photovoltaic: A review of thermal aspects, challenges and opportunities // Renewable and Sustainable Energy Reviews. 2018. 94. 835‒852.
  3. Xiao W., Jin X., Deng Y., Wang D., Chen G.Z., Rationalisation and optimization of solid‒state electro‒reduction of SiO₂ to Si in molten CaCl₂ in accordance with dynamic three‒phase interlines based voltammetry // J. Electroanal. Chem. 2010. 639, 130‒140.
  4. Nohira T, Yasuda K, Ito Y. Pinpoint and bulk electrochemical reduction of insulating silicon dioxide to silicon // Nature Mater. 2003. 2(6). 397‒401.
  5. Yasuda K., Nohira T., Amezawa K., Ogata Y., Ito Y. Mechanism of direct electrolytic reduction of solid SiO₂ to Si in molten CaCl₂ // J. Electrochem. Soc. 2005. 152. 69‒71.
  6. Yasuda K., Nohira T., Ogata Y., Ito Y. Direct electrolytic reduction of solid silicon Dioxide in molten LiCl‒KCl‒CaCl₂ at 773 K // J. Electrochem. Soc. 2005. 152. 208‒212.
  7. Padamata S.K., Haarberg G.M., Saevarsdottir G. Electrochemical behaviour of silicon ions in NaCl‒KCl mixture with low KF concentration // Silicon. 2025. 17. 111‒120.
  8. Zhuk S., Isakov A., Apisarov A., Grishenkova O., Isaev V., Vovkotrub E., Zaykov Yu. Electrodeposition of continuous silicon coatings from the KF‒KCl‒K₂SiF₆ melts // J. Electrochem. Soc. 2017. 164. H5135‒H5138.
  9. Zaikov Yu., Redkin A., Apisarov A., Korzun I., Kulik N., Isakov A., Kataev A., Chemezov O. Silica solubility in molten fluoride–chloride electrolytes and density of KF‒KCl‒K₂SiF₆‒SiO₂ melts // J. Chem. Eng. Data. 2013. 58. 932‒937.
  10. Trofimov A.A., Leonova A.M., Leonova N.M., Gevel T.A. Electrodeposition of silicon from molten KCl‒K₂SiF₆ for lithium‒ion batteries / J. Electrochem. Soc. 2022. 169. 020537.
  11. Suzuki Yu., Inoue Y., Yokota M., Goto T. Effects of Oxide Ions on the Electrodeposition Process of Silicon in Molten Fluorides // J. Electrochem. Soc. 2019. 166. D564‒D568.
  12. Norikawa Yu., Kondo A., Yasuda K., Nohira T. Electrodeposition of crystalline Si in molten alkali metal fluoride–chloride mixtures: Comparative study of Li, Na, K, and Cs systems // Electrochimica Acta. 2022. 434. 141255.
  13. Николаев А.Ю., Муллабаев А.Р., Суздальцев А.В., Ковров В.А., Холкина А.С., Шишкин В.Ю., Зайков Ю.П. Очистка хлоридов щелочных металлов методом зонной перекристаллизации для использования в операциях пирохимической переработки отработавшего ядерного топлива // Атомная энергия 2021. 131(4). 199‒205.
  14. Ustinova Yu., Pavlenko О., Gevel T., Zhuk S., Suzdaltsev A., Zaikov Yu. Electrodeposition of silicon from the low‒melting LiCl‒KCl‒CsCl‒K₂SiF₆ electrolytes // J. Electrochem. Soc. 2022. 169. 032506.
  15. Parasotchenko Yu., Gevel T.A., Suzdaltsev A.V., Zaikov Yu.P. On the stability of the concentration of silicon ions in LiCl‒KCl‒CsCl‒K₂SiF₆ melts during electrolysis // Silicon, 2024. 16. 5625‒5636.
  16. Rajkovic M., Novakovic I. Determination of fluoride content in drinking water and tea infusions using fluoride ion selective electrode // J. Agricultural Sciences. 2007. 52. 155‒168.
  17. Гевел Т.А., Жук С.И., Устинова Ю.А., Суздальцев А.В., Зайков Ю.П. // Электровыделение кремния из расплава KCl–K₂SiF₆ // Расплавы. 2021. №2. 187‒198.
  18. Минченко В.И. Степанов В.П. Ионные расплавы: упругие и калориметрические свойства. Екатеринбург: УрО РАН. 2008.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Схема экспериментальной установки: 1 – рабочий электрод, 2 – штуцер для ввода газа, 3 – кварцевая реторта, 4, 5 – противоэлектрод и квазиэлектрод сравнения, 6 – стеклоуглеродный стакан.

Скачать (36KB)
3. Рис. 2. Фотографии катодного осадка, полученного в ходе электролиза расплава KCl‒K₂SiF₆ при температуре 790 ℃ и катодном перенапряжении 0.25, 0.15 и 0.10 В.

Скачать (77KB)
4. Рис. 3. Зависимость содержания свободного иона F– от величины добавки SiO₂.

Скачать (19KB)
5. Рис. 4. Фотографии катодного осадка, полученного в ходе электролиза расплава KCl‒K₂SiF₆ с добавкой 0.34 мас.% SiO₂ при температуре 790℃ и катодном перенапряжении 0.25, 0.15 и 0.10 В.

Скачать (93KB)
6. Рис. 5. Микрофотография катодного осадка, полученного в ходе электролиза расплава (мас.%) 95KCl–5K₂SiF₆ при температуре 790℃ и катодном перенапряжении 0.25, 0.15 и 0.10 В.

Скачать (528KB)
7. Рис. 6. Микрофотография катодного осадка, полученного в ходе электролиза расплава KCl‒K₂SiF₆ с добавкой 0.34 мас.% SiO₂ при температуре 790℃ и катодном перенапряжении 0.25, 0.15 и 0.10 В.

Скачать (591KB)
8. Рис. 7. Циклические вольтамперограммы для системы KCl‒K₂SiF₆ с добавкой SiO₂ и без неё, при скорости развёртки 0.4 В/с.

Скачать (32KB)

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».