Evolution of the Impurity Sites and Electronic Spectra of Aluminum Phthalocyanine in a Silicate Nanoreactor

S. M. Arabei; Арабей С. М.; I. V, Stanishevsky; Станишевский И. В.; T. A. Pavich; Павич Т. А.; S. V. Slonskaya; Слонская С. В.

doi:10.31857/S004445372306002X

Эволюция примесных центров и электронных спектров Al-фталоцианина в силикатном нанореакторе

Авторы: Арабей С.М.¹, Станишевский И.В.¹, Павич Т.А.², Слонская С.В.¹
Учреждения:
1. Белорусский государственный аграрный технический университет
2. Институт физики имени Б.И. Степанова НАН Беларуси
Выпуск: Том 97, № 6 (2023)
Страницы: 843-849
Раздел: ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ, СУПРАМОЛЕКУЛЯРНЫХ СТРУКТУР И НАНОМАТЕРИАЛОВ
Статья получена: 15.10.2023
Статья опубликована: 01.06.2023
URL: https://journals.rcsi.science/0044-4537/article/view/136626
DOI: https://doi.org/10.31857/S004445372306002X
EDN: https://elibrary.ru/JHHYBD
ID: 136626

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Исследована эволюция электронных спектров поглощения замещенного Al-фталоцианина, внедренного в нанопористую силикатную гель-матрицу. Разложение контура длинноволновой Q-полосы поглощения молекул на фойгтовские компоненты выявило зависимость формирования разных типов примесных центров в нанопорах матрицы, как твердотельном нанореакторе, от времени сушки матрицы. Обсуждаются возможные механизмы влияния внутренней структуры синтезированного силикатного материала в процессе перехода от золя до высушенного ксерогеля на спектральные свойства примесных молекул фталоцианина. Рассмотрены модели взаимодействия молекул примеси с поверхностью нанопор матрицы в процессе сушки и выяснены особенности эволюции образующихся примесных центров.

Ключевые слова

: металлофталоцианин, золь–гель-матрица, нанореактор, примесный центр, электронные спектры поглощения, фойгтовские компоненты полосы

Список литературы

Hench L.L., West J.K. // Chem. Rev. 1990. V. 90. № 1. P. 33. https://doi.org/10.1021/cr00099a003
Арабей С.М., Павич Т.А., Станишевский И.В., Crepin C. // Журн. прикл. спектроскопии. 2022. Т. 89. № 2. С. 145. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-2-145-152
Komori T., Amao Y. // J. Porph. Phthal. 2003. V. 7. № 2. P. 131. https://doi.org/10.1142/S1088424603000185
Anctil A., Landi B.J., Raffaelle R.P. // 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference: (PVSC 2009); Philadelphia, Pennsylvania, USA, 7–12 June 2009 / 2009. P. 1344.
Frackowiak D., Wiktorowicz K., Planner A. et al. // Intern. J. Photoenergy. 2002. V. 4. № 2. P. 51. https://doi.org/10.1155/S1110662X02000090
Frackowiak D., Ion R.-M., Waszkowiak A. // J. Phys. Chem. B. 2002. V. 106. № 51. P. 13154. https://doi.org/10.1021/jp0212592
Павич Т.А., Арабей С.М., Соловьев К.Н. // Журн. прикл. спектроскопии. 2018. Т. 85. № 1. С. 5.
Павич Т.А., Станишевский И.В., Кожич Д.Т. и др. // Там же. 2020. Т. 87. № 4. С. 611
Matlab. [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://en.wikipedia.org/wiki/Matlab.
Scilab. [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://en.wikipedia.org/wiki/Scilab.
Abrarov S.M., Quine B.M. // Appl. Mathem. Comput. 2011. V. 218. № 5. P. 1894. https://doi.org/10.1016/j.amc.2011.06.072
Abrarov S.M., Quine B.M. // arXiv:1205.1768v1 [math.NA]. 2012. https://doi.org/10.48550/arXiv.1205.1768.
Gao F., Han L. // Comput. Optim. Appl. 2012. V. 51. № 1. P. 259.https://doi.org/10.1007/s10589-010-9329-3
Waszkowiak A., Frackowiak D., Wiktorowicz K., Miyake J. // Acta Biochim. Pol. 2002. V. 49. № 3. P. 633. https://doi.org/10.18388/abp.2002_3772
Lapkina L.A., Konstantinov N.Yu., Larchenko V.E. et al. // J. Porphyrins Phthalocyanines. 2009. V. 13. P. 859. https://doi.org/10.1142/S108842460900005X
Лапкина Л.А., Киракосян Г.А., Ларченко В.Е. и др.// Журн. неорган. химии. 2020. Т. 65. № 2. С. 179.
Lever A.B.P. // Adv. Inorg. Chem. Radiochem. 1965. V. 7. P. 27. https://doi.org/10.1016/S0065-2792(08)60314-3
Eastwood D., Edwards L., Gouterman M., Steinfeld J. / J. Mol. Spectrosc. 1966. V. 20. № 4. P. 381. https://doi.org/10.1016/0022-2852(66)90009-9
Fitch P.S.H., Haynam C.A., Levy D.H. // J. Chem. Phys. 1980. V. 73. № 3. P. 1064. https://doi.org/10.1063/1.440278
Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. 399 с.
Киселев В.Ф. / Докл. АН СССР. 1967. Т. 176. № 1. С. 124.