MOLEKULYaRNO-LUChEVAYa EPITAKSIYa TVERDOGO RASTVORA GaPxAs1−x NA VITsINAL'NOY POVERKhNOSTI (001): KINETIChESKAYa MODEL' FORMIROVANIYa SOSTAVA V ANIONNOY PODREShETKE

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Предложена кинетическая модель процесса формирования состава в анионной подрешетке твердого раствора GaPxAs1−x при молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As2 и P2. В основу модели положен двумерно-слоевой механизм роста, при котором террасы, имеющие реконструированную поверхность, последовательно достраиваются в областях роста, локализованных в изломах ступеней. Рассмотрены элементарные процессы массопереноса в областях роста, на поверхности террас, а также на их краях. Путем сравнения расчетных значений x с экспериментальными данными определены кинетические константы модели. Включение в рассмотрение обменных процессов в анионном слое на поверхности и краях террас вне областей роста позволило объяснить влияние температуры подложки, скорости роста и величины угла отклонения поверхности подложки от грани (001) на состав твердого раствора в подрешетке элементов пятой группы.

参考

  1. S. Martini, A. A. Quivy, A. Tabata, and J.R.Leite, Vac. Sci. Techn. B 18, 1991 (2000), doi: 10.1116/1.1303851.
  2. R. K. Tsui, J. A. Curless, G. D. Kramer, and M.S.Peffley, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 2570 (1985), doi: 10.1063/1.335884.
  3. Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, УФН 178, 459 (2008), doi: 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459.
  4. K. Mochizuki and T. Nishinaga, Jpn. J. Appl. Phys.27, 1585 (1988), doi: 10.1143/JJAP.27.1585.
  5. J. R. Arthur, Surf. Sci. 43, 449 (1974), doi: 10.1116/1.1317818.
  6. C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci. 64, 293 (1977), doi: 10.1016/0039-6028(77)90273-4.
  7. K. Ploog, Ann. Rev. Mater. Sci. 11, 171 (1981), doi: 10.1146/annurev.ms.11.080181.001131.
  8. J. M. Van Hove, P. J. Cohen, and J. Vac. Sci. Technol.20, 726 (1982), doi: 10.1063/1.96017.
  9. C. E. C. Wood, C. R. Stanley, G. W. Wicks, and M. B. Esi, J.Appl. Phys. 54, 1868 (1983), doi: 10.1063/1.332239.
  10. Y. H. Wang, W. C. Liu, C. Y. Chang, and S.A.Liao, J. Vac. Sci. Technol. B 4(1), 30 (1986), doi: 10.1116/1.583319.
  11. T. Nomura, H. Ogasawara, M. Miyao, and M. Hagino,J. Crystal Growth 111, 61 (1991), doi: 10.1016/00220248(91)90947-4.
  12. S. Yu. Karpov and M. A. Maiorov, Surf. Sci. 393, 108 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(97)00563-3.
  13. E. S. Tok, J. H. Neave, F. E. Allegretti, J. Zhang,T.S.Jones, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 371, 277 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(96)01085-0.
  14. Yu. G. Galitsyn, S. P. Moshchenko, and A.S.Suranov, Phys. Low-Dim. Struct. 7/8, 81 (1998).
  15. Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б .Р. Семягин,Д.Ф.Феклин, В. В. Преображенский, ФТП 49, 163 (2015).
  16. R. Heckingbottom, G. J. Davies, and K. A. Prior, Surf. Sci. 132, 375 (1983), doi: 10.1016/00396028(83)90548-4.
  17. R. Heckingbottom, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 572 (1985), doi: 10.1116/1.583182.
  18. H. Seki and A. Koukitu, J. Cryst. Growth 78, 342 (1986), doi: 10.1016/0022-0248(86)90070-9.
  19. П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, ФТП 22, 1729 (1988).
  20. S. V. Ivanov, P. D. Altukhov, T. S. Argunova,A.A.Bakun, A. A. Budza, V. V. Chaldyshev, Yu.A.Kovalenko, P. S.Kop’ev, R. N. Kutt, B.Ya.Meltser, S. S. Ruvimov, S. V. Shaposhnikov, L. M. Sorokin, and V. M. Ustinov, Semicond. Sci. Technol. 8, 347 (1993), doi: 10.1088/02681242/8/3/008.
  21. А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, В.М.Устинов, П. С. Копьев, ФТФ 31, 1153 (1997), doi: 10.1134/1.1187033.
  22. В. В. Преображенский, В. П. Мигаль, Д. И. Лу-бышев, Поверхность. Физика, химия, механика 9, 156 (1989).
  23. В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семя-гин, ФТП 36, 897 (2002).
  24. Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, T. Kitada, S.Shimomura, and S. Hiyamizu, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1549 (2000), doi: 10.1116/1.591424.
  25. C. T. Foxon, B. A. Joyce, and M. T. Norris,J.Gryst. Growth. 49, 132 (1980), doi: 10.1016/00220248(80)90073-1.
  26. B. W. Liang and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 72, 2806 (1992), doi: 10.1063/1.351532.
  27. T. Shitara, D. D. Vvedensky, M. R. Wilby, J. Zhang,J. H. Neave, and B. A. Joyce, Phys. Rev. B 46, 6825 (1992), doi: 10.1103/physrevb.46.6825.

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024

##common.cookie##