Магнитные и резистивные свойства тонких пленок La0.7Sr0.3MnO3, осажденных на подложку NdGaO3
- Авторы: Шайхулов Т.А1, Маркелова М.Н2, Федорова А.А1,3, Федоров А.С1,3, Сизов В.Е4, Амеличев В.А5, Кауль А.Р2, Калябин Д.В1,3, Никитов С.А1,3,6
-
Учреждения:
- Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук
- Московский государственный университет
- Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет)
- Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, Фрязинский филиал
- С-Инновации
- Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
- Выпуск: Том 168, № 6 (2025)
- Страницы: 873–881
- Раздел: ПОРЯДОК, БЕСПОРЯДОК И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕДАХ
- URL: https://journals.rcsi.science/0044-4510/article/view/356102
- DOI: https://doi.org/10.7868/S3034641X25120113
- ID: 356102
Цитировать
Аннотация
Представлено исследование влияния толщины эпитаксиальных пленок La(1-x)SrxMnO3 (где x = 0.3) на подложках NdGaO3 на их магнитные свойства. С помощью магнитно-силовой микроскопии была обнаружена эволюция магнитных доменов с увеличением толщины слоя LSMO. Было показано появление полосовой доменной структуры, обусловленной перпендикулярной магнитной анизотропией, при толщине пленок порядка 75 нм и ее дальнейшее развитие до лабиринтной доменной структуры при толщине пленок больше 147 нм. С помощью эффекта магнитного циркулярного дихроизма было показано, что с изменением параметра a⊥ постоянной решетки, зависящего от толщины пленки, возникают дополнительные пики в спектрах оптического поглощения от d-d-переходов в ионах Mn4+. Были получены зависимости магнитной анизотропии и холловского сопротивления для пленок La0.7Sr0.3MnO3. Полученные данные свидетельствуют о сильной зависимости физических свойств в эпитаксиальных пленках LSMO от их толщины, что имеет значение для прикладных применений.
Об авторах
Т. А Шайхулов
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия
М. Н Маркелова
Московский государственный университет
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия
А. А Федорова
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет)
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия
А. С Федоров
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет)
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия
В. Е Сизов
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, Фрязинский филиал
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия
В. А Амеличев
С-Инновации
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия
А. Р Кауль
Московский государственный университет
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия
Д. В Калябин
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет)
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия
С. А Никитов
Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет); Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Автор, ответственный за переписку.
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия; Москва, Россия; Саратов, Россия
Список литературы
- S. Jin, T. H. Tiefel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh, and L. H. Chen, Science 264, 413 (1994).
- H. Y. Hwang, S.-W. Cheong, N. P. Ong, and B. Batlogg, Phys. Rev. Lett. 77, 2041 (1996).
- M. Ziese, Rep. Prog. Phys. 65, (2002).
- F. Trier, P. Noel, J.-V. Kim et al., Nat. Rev. Mater. 7, 258 (2021).
- Y. Han, B. Lao, X. Zheng et al., Front. Mater. 11, 1444769 (2024).
- J.-H. Park, E. Vescovo, H.-J. Kim et al., Phys. Rev. Lett. 81, 1953 (1998).
- Y. Wu, Y. Suzuki, U. R¨udiger et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2295 (1999).
- S. K. Chaluvadi, F. Ajejas, P. Orgiani et al., J. Phys. D 53, 375005 (2020).
- J. Dho, N. H. Hur, I. S. Kim, and Y. K. Park, J. Appl. Phys. 94, 7670 (2003).
- J. Dho, Y. N. Kim, Y. S. Hwang et al., Appl. Phys. Lett. 82, 1434 (2003).
- C. Kwon, M. C. Robson, K.-C. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2295 (1999).
- Y. Wu, Y. Matsushita, and Y. Suzuki, Phys. Rev. B 64, 220404 (2001).
- P. Perna, D. Maccariello, F. Ajejas et al., Adv. Funct. Mater. 27, 1700664 (2017).
- M. Salehi-Fashami and N. D’Souza, J. Magn. Magn. Mater. 438, 76 (2017).
- M. Farle, Rep. Prog. Phys. 61, 755 (1998).
- V. V. Demidov, G. A. Ovsyannikov, A. M. Petrzhik et al., J. Appl. Phys. 113, 163908 (2013).
- А. Г. Гуревич, Г. А. Мелков, Магнитные колебания и волны, Физматлит, Москва (1994).
- M. V. Pitke, Czech. J. Phys. 21, 467 (1971).
- R. W. James, The Optical Principles of the Diffraction of X-Rays, Ox Bow Press, Woodbridge (1982).
- A. M. Miller, M. Lemon, M. A. Choffel et al., Z. Naturforsch. B 77, 313 (2022).
- J. Dho and N. H. Hur, J. Magn. Magn. Mater. 318, 23 (2007).
- S. R. Bakaul, W. Lin, and T. Wu, Appl. Phys. Lett. 99, 042503 (2011).
- D. Lan, P. Chen, C. Liu et al., Phys. Rev. B 104, 125423 (2021).
- Г. А. Овсянников, А. М. Петржик, И. В. Борисенко и др., ЖЭТФ 56, 135 (2009).
- W. Westerburg, F. Martin, P. J. M. van Bentum, J. A. A. J. Peremboom, and G. Jakov, Eur. Phys. J. B 14, 509 (2000).
- M. Granada, B. Maiorov, M. Sirena, L. B. Steren, and J. Guimpel, J. Magn. Magn. Mater. 509, 272 (2004).
- H. L. Liu, K. S. Lu, M. X. Kuo, L. Uba, S. Uba, L. M. Wang, and H. T. Jeng, J. Appl. Phys. 99, 043908 (2006).
- J. Mistrik, T. Yamaguchi, M. Veis et al., J. Appl. Phys. 99, 08Q317 (2006).
- M. Veis, S. Visnovsky, Ph. Lecoeur et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 195002 (2009).
- Yu. E. Samoshkina, I. S. Edelman, M. V. Rautskii, and M. S. Molokeev, J. Alloys Compd. 782, 30334 (2019).
Дополнительные файлы


