MAGNITOFONONNYE OSTsILLYaTsII SOPROTIVLENIYa V STRUKTURAKh S KVANTOVOY YaMOY GaAs I BAR'ERAMI IZ SVERKhREShETOK AlAs/GaAs⟨δ-Si⟩

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Исследованы магнитофононные осцилляции сопротивления (MPR), связанные с резонансным рассеянием электронов на оптических фононах при температурах 77–240 K, а также и резонансным рассеянием электронов на акустических фононах (PIRO) при температурах 10–25 K на одних и тех же образцах с квантовой ямой GaAs и барьерами из сверхрешеток AlAs/GaAs, легированных Si. При исследованиях MPR было показано, что резонансное рассеяние электронов происходит на объемных продольных оптических фононах и не зависит от размерности системы, а также и от межподзонных переходов в системах с двумя подзонами пространственного квантования. Однако величина амплитуды осцилляции с номером N=1 в двумерных структурах зависит от соотношения механизмов рассеяния, т. е. от их строения. Что касается PIRO, то в образцах с двумя подзонами пространственного квантования резонансное рассеяние электронов на продольных акустических фононах наблюдается на фоне межподзонных переходов (MISO), что вызывает их интерференцию.

Bibliografia

  1. В. Л. Гуревич, Ю. А. Фирсов, ЖЭТФ 40, 198 (1961).
  2. S. M. Puri and T. H. Geballe, Bull. Am. Phys. Soc. 8, 309 (1963).
  3. С. С. Шалыт, Р. В. Парфеньев, В. М. Муждаба, ФТТ 6, 647 (1964).
  4. D. C. Tsui, Th. Englert, A. Y. Cho et al., Phys. Rev. Lett. 44, 341 (1980).
  5. D. C. Tsui, Th. Englert, J. C. Portal et al., Sol. St. Commun. 44, 1301 (1982).
  6. Giyuu Kido, Noboru Miura, Hideo Ohno et al., J. Phys. Soc. Jpn. 51, 2168 (1982).
  7. M. A. Brummell, R. J. Nicholas, M. A. Hopkins et al., Phys. Rev. Lett. 58, 77 (1987).
  8. D. R. Leadley, R. J. Nicholas, J. Singleton et al., Phys. Rev. Lett. 73, 589 (1994).
  9. C. Faugeras, D. K. Maude, G. Martinez et al., Phys. Rev. B 69, 073405 (2004).
  10. R. J. Nicholas, in Landau Level Spectroscopy, vol. 27.2, ed. by G. Landwehr and E. I. Rashba, Elsevier, Amsterdam, (1991), p. 777.
  11. M. Hass and B. W. Henvis, J. Phys. Chem. Solids 23, 1099 (1962).
  12. R. Stradling and R. Wood, J. Phys. C 1, 1711 (1968).
  13. A. Mooradian and G. B. Wright, Sol. St. Commun. 4, 431 (1966).
  14. B. Jusserand and J. Sapriel, Phys. Rev. B 24, 7194 (1981).
  15. R. Lassnig and W. Zawadzki, J. Phys. C: Solid State Phys. 16, 5435 (1983).
  16. V. V. Afonin, V. L. Gurevich, and R. Laiho, Phys. Rev. B 62, 15913 (2000).
  17. А. А. Быков, И. С. Стрыгин, А. В. Горан и др., Письма в ЖЭТФ 112, 475 (2020).
  18. A. V. Goran, A. A. Bykov, A. I. Toropov et al., Phys. Rev. B 80, 193305 (2009).
  19. M. A. Zudov, I. V. Ponomarev, A. L. Efros et al., Phys. Rev. Lett. 86, 3614 (2001).
  20. А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров и др., Письма в ЖЭТФ 81, 646 (2005).
  21. А. А. Быков, А. В. Горан, Письма в ЖЭТФ 90, 630 (2009).
  22. A. T. Hatke, M. A. Zudov, L. N. Pfeiffer et al., Phys. Rev. B 102, 086808 (2009).
  23. I. A. Dmitriev, A. D. Mirlin et al., Rev. Mod. Phys. 84, 1709 (2012).
  24. O. E. Raichev, Phys. Rev. B 80, 075318 (2009).
  25. O. E. Raichev, Phys. Rev. B 81, 195301 (2010).
  26. A. A. Bykov, A. V. Goran, and S. A. Vitkalov, Phys. Rev. B 81, 155322 (2010).
  27. S. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Nota

In the print version, the article was published under the DOI: 10.31857/S0044451025020087


Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).